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【存储器】紫光国芯:DRAM芯片设计技术处于世界先进水平

来源:全景网       

紫光国芯周一在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍,DDR4与DDR3相比,单条容量有很大提高,可以实现较高的容量。另外,频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压,有利于更低的功耗。

同时,关于公司在国内业界、排名情况,紫光国芯介绍,公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平,国内稀缺,但目前产品产量很小,市场份额不大。

针对投资者关于公司DDR4存储器芯片相比DDR3优势的询问,紫光国芯作出上述回应。

紫光国芯主营压电石英晶体元器件的开发、生产和销售。

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