全力研发下一代3D存储芯片 长江存储与湖大达成战略合作

9日，长江日报记者在2018年第四批科技成果转化签约大会·湖北大学专场获悉，湖北大学物理与电子科学学院王浩教授领衔的团队，与长江存储科技有限责任公司签约受让3D存储器选通管技术，年产值预计达60亿元。双方达成战略合作，将继续在3D存储器选通管和高密度阻变存储器及其集成技术的研究上开展合作，全力研发下一代3D存储芯片，为早日实现存储器芯片技术的国产化贡献力量。

选通管技术是3D存储器制造的必备原件，国内多家研发机构正致力研发该技术。王浩教授团队近年来专攻选通管技术，目前已发表多篇学术论文，先后获得7项国家发明专利。

据王浩教授介绍，随着云计算、大数据、物联网等应用的发展，未来对存储器的需求会持续增加。我国存储器的消耗量占全球总消耗量的50%以上，市场约415亿美元，但85%的存储器芯片依赖进口。王浩团队的研究就是存储器芯片国产化的一个子项目，选通管是3D X-Point存储器芯片的重要组成部分，将为生产下一代3D存储器提供技术支持。

据了解，早在2017年8月，湖北大学就与长江存储科技有限责任公司进行了“燎原计划”校企签约合作，随后双方在联合培养、师资合作、项目合作及产学研等方面进行了广泛合作。王浩教授团队参与承担了国家科技重大专项、国家重点研发计划和湖北省技术创新重大项目等项目的研发。

3D存储器投入量产后的市场价值约有1000亿元，选通管技术将占其中的60亿元。王浩介绍，目前湖大正致力选通管技术的研发，希望通过与长江存储的合作，联合多方攻关，共同打造存储芯片的“中国制造”。

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