EN CN
注册

【存储器】紫光企业级3D NAND封测正式进入量产

来源:全球半导体观察       

1月7日,紫光集团官方微信公众号发文,宣布旗下紫光宏茂微电子(上海)有限公司宣布成功实现大容量企业级3D NAND芯片封测的规模量产。

资料显示,紫光宏茂的前身宏茂微电子(上海)有限公司原为台湾南茂科技的全资子公司,2017年6月紫光集团通过旗下全资子公司西藏紫光国微出资收购其48%股权,成为其最大股东并实际主导经营。

2018年7月4日,宏茂微电子正式完成工商登记变更,公司名称由“宏茂微电子(上海)有限公司”变更为“紫光宏茂微电子(上海)有限公司”。经过一系列战略调整和转型,紫光宏茂重点发展存储器的封装与测试。

根据紫光集团存储芯片战略规划,紫光宏茂自2018年4月起开始建设全新3D NAND封装测试产线,组建团队、研发先进封测技术;2018年5月完成无尘室建置;2018年6月开始投片实验;2018年9月完成产品初期验证;2018年11月产品通过客户内部验证;2019年1月顺利实现量产,正式交付紫光存储用于企业级SSD的3D NAND芯片颗粒。

至此,紫光宏茂成为全系列存储器封测的一站式服务提供商,产品包括3D NAND(Raw NAND,eMMC,UFS,eMCP,TF card)、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存储器产品的封装和测试。紫光集团表示,紫光宏茂企业级3D NAND芯片封测成功量产,标志着内资封测产业在3D NAND先进封装测试技术实现从无到有的重大突破,也为紫光集团完整存储器产业链布局落下关键一步棋。

目前,紫光集团在存储器领域拥有长江存储、西安紫光国芯、紫光存储等系列子公司,涵盖NAND Flash、DRAM等存储产品的研发、制造、封测及模组等产业链布局。

2018年8月6日,长江存储公开发布其突破性技术XtackingTM,该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度以及更短的产品上市周期,据悉长江存储已成功将Xtacking技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。

根据规划,长江存储将于2019年大规模量产64层堆栈的3D NAND闪存,传闻2020年将跳过96层堆栈的3D闪存,直接量产128层堆栈的3D闪存。业界认为,紫光宏茂企业级3D NAND芯片封测的成功量产为长江存储芯片规模上市做好最后的准备。

图片声明:封面图片来源于正版图片库,拍信网。

如需获取更多资讯,请关注全球半导体观察官网(www.dramx.com)或搜索微信公众账号(全球半导体观察)。