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【存储器】美光1z纳米制程DDR5存储器送客户试样,预计2021年正式量产

来源:TechNews科技新报    原作者:Atkinson    

在当前CES 2020举行的当下,包括AMD与英特尔两家处理器大厂都将在会场中发表全新一代的处理器,虽然这些处理器预估还是会支援DDR4存储器,但是面对传输量越来越大,必须拥有越来越快传输速度存储器的当下,下一代DDR5存储器也已经开始准备量产。

根据外电报导,美商存储器大厂美光(Micron)于7日正式宣布,将开始向客户出样最新的DDR5存储器,以第3代的10纳米级1z纳米制程来打造,其性能提升了85%。

报导指出,美光表示,相较DDR4存储器,DDR5标准性能更强,功耗更低,起步频率至少4800MHz,最高6400MHz。而其他的性能提升还包括电压从1.2V降低到1.1V,同时每通道32/40位(ECC)、汇流排效率提高、增加预取的Bank Group数量等。

而美光现在出样的DDR5存储器是使用了最新的1z纳米制程,大概是12到14纳米节点之间,ECC DIMM规格,频率DDR5-4800,比现在的DDR4-3200存储器性能提升了87%左右。不过,与DDR5-6400的效能还有点距离,后期还有持续提升的空间。

对于新一代的DDR5存储器来说,平台的支援是最大的问题。因为目前还没有正式支援DDR5存储器的平台,因此市场上要购买到内建DDR5存储器的产品则还要等上一段时间。

其中,AMD预计将会在2021年的Zen4架构处理器上更换介面,开始支援DDR5存储器。而英特尔在14纳米及10纳米制程的处理器上,目前都没有明确规划支援DDR5存储器。根据英特尔官方路线图显示,预计要到2021年的7纳米制程处理器Sapphire Rapids上才会开始支援DDR5,而且还是以服务器处理器为主,消费级的处理器产品预计还要再晚一些时间。

另外,根据美光之前的说法,目前美光正在生产第2代10纳米级1y纳米制程技术的12Gb LPDDR4X以及16Gb DDR4存储器。

在未来客户针对DDR5存储器试样完成后,将会开始准备1z纳米的产线来开始生产。不过,对于1z纳米产业的生产,美光现在尚未决定是否导入EUV极紫外光科设备来协助生产。目前,美光的竞争对手三星已经在1z纳米制程中导入EUV设备来协助生产。

封面图片来源:拍信网

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