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【存储器】冲10纳米制程 南亚科今年资本支出年增逾31%

来源:钜亨网       

DRAM厂南亚科昨(26)日召开董事会,通过今年资本支出预算案,以不超过92亿元(新台币,下同)为上限,与去年资本支出相较之下,增幅达31.4%,其中包含10纳米级制程研发、试产及20纳米递延等资本支出。

南亚科2017年资本支出共294亿元,但2018年下半年起受到美中贸易摩擦、CPU缺货等因素冲击,DRAM市况转趋保守,南亚科因此于2018年第4季下修资本支出,全年资本支出为204亿元。

去年DRAM市况持续走弱,南亚科也因此再下调资本支出,去年2月原定资本支出共106亿元,4月下调至70亿元,与2018年相较,等同大幅缩水超过6成。不过,南亚科表示,由于前2年已陆续采购设备,去年资本支出规模原本就相对较少,并因应市场变化,再缩减资本支出。

今年则因10纳米级制程技术将导入,包括研发、试产等需求,推升资本支出金额较去年扩增,南亚科总经理李培瑛表示,上半年资本支出相对较低,下半年适逢10纳米级制程推进,资本支出相对较高。

封面图片来源:拍信网