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【存储器】美光HBM2 DRAM即将开始出货

来源:cnBeta       

在最新财报中,美光科技(Micron Technologies)宣布旗下第二代高带宽存储器(HBM2)即将开始出货。HBM2主要用于高性能显卡、服务器处理器以及各种高端处理器中,是相对昂贵但市场紧需的解决方案。

第二代高带宽存储器(HBM2)指定了每堆8个裸晶及每针传输速度上至2GT/s的标准。为保持1024比特宽的访问,第二代高带宽存储器得以在每个封装中达到256GB/s的内存带宽及上至8GB的内存。业界预测第二代高带宽存储器对极其需要性能的应用程序,如虚拟现实,至关重要。

2016年1月19日,三星集团宣布进入大量生产第二代高带宽存储器的早期阶段,每堆拥有高达8GB的内存。SK海力士同时宣布于2016年8月发布4GB版本的内存。而伴随着美光的即将出货,存储器市场将会再次形成三雄割据的场面。

此前,美光的开发重心都放在专有的混合存储多维数据集(HMC)DRAM类型上,不过这种类型的DRAM并没有获得太多客户的吸引力,因此始终没有太大的改变。仅使用了少数稀有产品,如2015年在富士通PRIMEHPC FX100超级计算机中使用的富士通SPARC64 XIfx CPU。

美光宣布将在2018年暂停HMC的工作,并决定致力于GDDR6和HBM的开发。因此他们将会在今年的某个时候发布搭载HBM2 DRAM的产品。

封面图片来源:拍信网