EN CN
注册

【存储器】武汉国家存储器基地施工生产加速推进

来源:全球半导体观察       

随着武汉重启,新兴建设承建的国家级高科技重点项目武汉国家存储器基地,经过前期科学有序的疫情防控和复工复产准备,日前,项目施工生产加速推进,现场300余名工人已经投入到各项工作。

据中国新兴建设指出,该项目于4月2日获得复工批复,目前正在进行二次施工及部分高层主体结构施工。

武汉国家存储器项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,总投资1600亿元,工程建筑面积32.9万平方米,是我国芯片国产化的重要支撑,规划建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND闪存制造厂房,预计2020年,整个项目完成,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。目前,长江存储器基地一期已实现量产。

长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹此前在湖北省两会期间召开的首场新闻发布会上表示,当前及今后一段时间,他们的核心任务是推动产能爬坡提升,如期达成月产能10万片,并尽快启动二期建设,建成30万片/月产能,提升国家存储器基地的规模效应,带动全省产业发展。

湖北省2020年政府工作报告也指出,湖北将加快培育壮大以“芯屏端网”为重点的世界级产业集群,加快国家存储器基地二期项目的建设。

中国新兴建设表示,新兴建设武汉国家存储器基地项目将结合当前实际情况,按照目标不变、标准不降、信心不减、干劲不松的原则,科学调整施工工序,加快施工进度,加强重点区域工作的指导和协调力度,努力克服疫情影响,确保完成全年施工目标。

封面图片来源:长江存储官网