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【存储器】南亚科加速10纳米制程研发 1A世代预计下半年试产

来源:台湾经济日报    原作者:简永祥    

DRAM大厂南亚科获得美系资料中心大厂服务器用DRAM大单之后,公司决定加速10纳米高端制程研发脚步,除扩增资本支出之外,也增加研发人力,预期第一个世代的1A制程,可在下半年试产;10纳米第二世代1B制程,也可望提前在明年下半年试产。

据了解,南亚科的1A及1B,甚至第三世代1C,都将以切入毛利率较高的服务器用DRAM和标准型DRAM为重心,公司将藉制程推动,达到营收、获利稳步提升的目标。

南亚科已决定在10纳米制程技术自主,不再向美光寻求技术授权,凸显公司决策层认为已累积坚强的研发实力,未来可藉由扩充研发人力,在10纳米制程写下技术自主的新页。

南亚科在台塑集团支援下,董事会先前已通过将资本支出由新台币92亿元上调至157.6亿元,用以建置10纳米试产线,冲刺10纳米制程技术自主研发。

南亚科10纳米分成A、B、C三个世代,和美光原本的20纳米相比,就是南亚科采用的记忆储存细胞(Cell)可进行微缩,因此可由1A逐步推进至1B再到1C。

南亚科总经理李培瑛日前在法说会中透露,南亚科的1A世代已预定今年下半年试产,1B制程技术也开始研发阶段,且原订2022年前试产,但目前看来将会提前在2021年进行。

他透露,拓展服务器用DRAM是公司今年努力目标。上半年服务器用DRAM营收占比约低个位数,今年朝10%目标努力。

法人透露,南亚科服务器用DRAM,是在向美光取得20纳米授权基础下,成功以20纳米产生8Gb DDR4 DRAM。这项重大技术突破,也让南亚科有信心在10纳米达成技术自主。

据了解,南亚科的服务器用DDR 4 DRAM除了获北美资料中心大厂验证并出货,后续还包括中国大陆客户。

封面图片来源:拍信网