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【存储器】美光积极准备EUV技术,争取与三星及SK海力士竞争

来源:全球半导体观察    原作者:Atkinson    

根据韩国媒体《Etnews》报导指出,目前全球3大DRAM存储器中尚未明确表示采用EUV极紫外光刻机的美商美光(Micron),因日前招聘网站开始征求EUV工程师,揭露美光也在进行EUV运用于DRAM先进制程,准备与韩国三星、SK海力士竞争。
 
报导指出,美光招聘叙述是“企业内部开发EUV应用技术,并管理新EUV系统,以及与EUV设备制造商阿斯麦(ASML)沟通”,工作地点就在美光总部美国爱达荷州。美光已开始生产第3代10纳米级(1z)DRAM存储器,预计2021上半年开始大量生产第4代10纳米级(1a)DRAM存储器。

与竞争对手三星、SK海力士不同的是,美光不打算将EUV技术运用在第4代10纳米级DRAM存储器,而是未来第7代10纳米级(1d)DRAM存储器。
 
存储器与CPU逻辑制程一样,近年面临制程微缩的问题。如果使用EUV光刻技术,可减少多重曝光过程,提供更细微的制程精度与良率,进一步减少产品生产时间并降低成本,还可提高效能。

不过,EUV光刻设备每部单价近1.5亿欧元,初期投资成本较深紫外光光刻设备(DUV)高许多,因此会让厂商考虑再三。美光先前就是因成本考量,加上采用DUV设备打造的DRAM符合市场需求,因此时程落后三星及SK海力士。
 
目前三星已在第3代10纳米级DRAM存储器生产导入EUV技术,且还预计2021年发表第4代10纳米级的DRAM存储器生产增加EUV技术。至于SK海力士则将在2021年量产第4代10纳米级DRAM存储器导入EUV技术,目前SK海力士也分批导入EUV设备,预计在京畿道利川市的新DRAM工厂建立EUV技术产线。
 
相较两家竞争对手已导入或正导入EUV技术,美光显然落后。外界解读这次美光招聘EUV工程人员,目的在于先研究EUV运作技术,以在未来正式推出相关技术的产品。因市场预期存储器市场将逐渐迎接正循环周期,美光也藉此储备未来市场竞争的最佳能量。

封面图片来源:拍信网