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【存储器】存储新境界!金泰克DDR5内存系列产品正式发布!

来源:金泰克       

2021是DDR内存技术升级换代的裂变时代,也被称为DDR5商用元年。自JEDEC固态存储协会正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范后,国内外各大模组厂商竞速开启探索模式并布局DDR5。

为满足行业客户及广大用户对DDR5产品应用的期待,以及为存储行业应用提供更多可能性,金泰克于今日(4月9日)正式发布DDR5内存模组产品。金泰克DDR5内存产品的面世,为对设备性能有刚需的行业带来了更多可能,同时也为终端用户带来更流畅的产品体验。

产品信息

为追求极致体验用户量身打造

主要应用

金泰克DDR5系列内存模组可广泛应用于5G、大数据等对性能有刚需的行业领域,广泛赋能小型工作站、安防、远程医疗、高端游戏、云存储、高端计算机等。

产品特性

(DDR5和DDR4对比)

大容量:

DDR4为4GB的单片芯片密度,而DDR5的内存颗粒容量会从16GB起跳,未来可达64GB,16GB核心容量意味着一颗核心就有2GB容量,内存单条单面容量轻松做到16GB,单条双面容量做到32GB,如果堆更多核心,那么就会有单条容量128GB的DDR5内存出现。

高速率:

DDR5从3.2Gbps起跳,到6.6Gbps,起点即是DDR4的速度峰值。DDR5最高可扩展到8.4Gbps,预取数据能力从DDR4的8n上升为 16n,最高速率可达6400Mbps。

低能耗:

采用最新工艺DDR5的VPP降低到 1.8V,VDDQ和VDD降低到1.1V,功耗整体下降,性能提升了85%。这是几代DDR电压总线以来下降比例最少的一次,说明其对电源完整性和信号完整性的设计要求越来越严苛。

产品优势

· 端到端接收模式的强化,信号传输更纯净

在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能,增加CA、CS类信号也使用了ODT,采用片内终结。因此,金泰克DDR5内存可进一步减少信号脉冲的反射干扰效应。

· 全新的PMIC电源架构,采用VDD/VDDQ/VPP/VDDSPD/VIO供电

4.5V-5.5V输入,输出VPP 1.8V ,VDD 1.1V,VDDQ 1.1V,VDDSPD 1.8V ,VIO 1.0V,电源管理芯片通过I2C协议配置的,调节电源纹波、电压和上下电时序,可以达到稳定和更加省电的效果。

· 内置纠错码ECC,读写更稳定

为进一步提高数据完整性,金泰克DDR5内存条透过置入纠错码ECC功能,实现数据纠错能力,在缓解系统错误校正负担的同时充分利用DRAM读写的高效机制,使读写更稳定。

· 自研高速PCB板,速率稳定有保障

由于DDR5的速率相较于DDR4提升了两倍,金泰克研发设计了更高速的PCB板来兼容DDR5颗粒,新架构中采用了两个完全独立的32位通道,提高了并发性,并使系统中可用的内存通道增加了一倍。

结语:

作为一家专注数据存储20年的厂家,金泰克已累计获得专利200余项,涵盖产品研发、制造及品控的各个环节,是一家集研发、生产和自主品牌产品营销于一体的专业存储方案提供商。金泰克始终以“创新”作为自身的自驱力及源动力,坚持在研发上“逐项突破、协同攻关”,在产品上“深入打磨产品质量与服务”,向客户、向市场推出更多高性能、高稳定性的产品。

未来,金泰克将持续提供更多的DDR5产品规格和技术服务,投入到更多的应用场景中,为各行各业客户持续赋能!让我们拭目以待!