来源:全球半导体观察 原作者:Niki
近日,美光科技尖端存储器1β DRAM正式在日本广岛量产,但与此同时,为应对市场需求,美光还宣布将存储器产量减产约20%。
据日本共同社报道,美国半导体巨头美光科技位于日本广岛县东广岛市的子公司“日本美光存储器公司”已于16日开始在该市的广岛工厂启动最尖端DRAM(动态随机存取存储器)的量产。
与上代产品相比,功率效率和存储密度分别提升了约15%和约35%,主要面向智能手机出货,明年还将在中国台湾启动量产。
据悉,美光日本广岛工厂是其在2013年收购尔必达(ELPIDA)时取得,并于2019年开始建设新厂房等,致力于尖端技术产品DRAM的生产。目前,该厂投产制程主要为1Z纳米(占比50%以上)和1Y纳米(占比约35%)。
今年11月初,美光宣布,正在向选定的智能手机制造商和芯片组运送其1β DRAM技术的合格样品合作伙伴。
美光最近宣布,其广岛生产基地将获得高达465亿日元的政府补贴。美光将利用这笔赠款扩大其行业领先的制造能力,包括与1β DRAM内存相关的能力。
众所周知,美光是全球知名的存储器大厂,不过,由于消费性电子需求持续萎缩,对其营收造成冲击,第三季营收约48.1亿美元,环比下降23.3%。
为应对市场需求下滑导致公司难以清理过剩库存,美光16日表示,本季度DRAM和NAND的晶圆开工量将比2022年第四季削减20%,并计划进一步削减资本支出。
此外,美光同时警告2023年需求展望近来趋疲,届时DRAM的位元供给年增率将是负值,而NAND的位元供给只会有单位数成长率。此前,美光曾表示,会将今年度的资本支出减少30%。
展望2023年度,该公司预期DRAM的位元供应增幅掉到负值,而NAND则落在个位数百分比区间。
美光说表示,近期而言,对2023年度的市场展望一直都很疲弱。因此美光认为今年度以位元计的DRAM供应量必须缩减,而NAND的位元供应增幅必须大幅低于先前预估。
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