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至迅创新工程研发实验室乔迁,官宣19nm工业级芯片全面量产

来源:全球半导体观察       

至讯创新科技(无锡)有限公司于今日隆重举行了工程研发实验室乔迁典礼,标志着公司迈入新的发展阶段。乔迁典礼上,各路嘉宾莅临巨蟹座的新址,共同见证至讯创新开启未来的新篇章。

新址新貌,创新之所向

新的工程研发实验室座落于无锡软件园巨蟹座,紧邻公司总部,占地近千平方米。实验室配备了业内先进的测试机台,可满足存储芯片的工程开发测试需求,能够进行电特性,ESD防静电,可靠性和高低温等测试,确保公司研发的芯片在功能、性能和可靠性等方面达到最高标准,新的工程研发实验室将为至讯创新的技术创新提供更加宽敞和先进的平台。 

感恩助力,筑梦新征程

无锡高新区、太科办和软件园的主要领导以及至讯创新的供应商伙伴们共同参与了新实验室的乔迁典礼。新的实验室标志着至讯创新迈入新发展阶段。公司将进一步投入新产品研发和技术创新,为公司未来的发展注入更多的动力和活力。


至讯创新董事长汤强博士致辞

喜讯分享,19nm工业级芯片全面量产

在典礼上,至讯创新董事长汤强博士宣布了一项重要的消息:至讯创新基于19nm先进制程的二维NAND闪存工业级产品已全面量产上市。这一突破性成果的取得,是至讯创新团队努力的结果,为公司的技术实力再添新的篇章。

这款全新的工业级闪存芯片以其卓越的性能、领先的19nm制程技术和出色的可靠性势必成为当今存储芯片的焦点。产品提供多种容量选择,高速的读写和数据传输率为工控系统带来更快的响应速度,多bit的片上纠错(On-die ECC)能力叠加高达10万次的擦写周期使芯片具备了卓越的可靠性,并能在-40℃到+85℃的极端环境下完美运行。该款产品已通过了严苛的工业级测试,满足多样化工业应用的需求,在面对复杂工业环境的挑战时,产品表现出色,能够保障数据的安全稳定运行,为工业自动化、物联网、网络通信、智能制造等领域提供了稳定可靠的存储器解决方案。

新实验室启程,携手迎未来

新的工程研发实验室是至讯创新阶段性发展的重要里程碑,至讯创新将继续推动前沿技术的开发,为行业发展注入更为强劲的动力。