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三星HBM3E通过英伟达实地检测?

来源:科技新报       

市场消息指出,三星电子(Samsung Electronics)与NVIDIA顺利完成第五代高带宽存储器HBM3E的实地检测。虽然HBM3E量产时间还不确定,但双方合作已经有进一步进展。 

此前有报导指出,三星8层HBM3E已通过NVIDIA测试,可用于英伟达的AI处理器上,预期今年第四季就会展开供应,至于12层HBM3E芯片还没通过测试。 

从三星和NVIDIA合作来看,Al、游戏和资料中心应用都必须使用先进半导体技术。不过市场较为担忧三星存储器部门,因为该部门复苏缓慢,且在AI芯片市场反应相对较慢,目前也正努力赶上SK海力士,以服务AI领域的领导者NVIDIA。 

整体来说,通过实地检测对三星来说仍是正面发展,但要量产和重回市场领先地位仍是一项挑战。

封面图片来源:拍信网