三星西安NAND闪存产量据称下降5%-6%

据朝鲜Biz报道，三星电子位于中国西安的NAND闪存厂区正在进行设备升级改造，晶圆产能出现同比下滑。该厂此前月产能约15万片晶圆，当前产量环比降幅预估在5%至6%，市场相关猜测认为，生产波动状况或将持续至明年。

报道指出，西安厂区正处于产能升级转型阶段，对短期产出形成压制。该厂区长期以128层NAND产品为主，在行业整体向200层至300层产品升级的背景下，市场对其产品竞争力存在担忧。

据Newspim消息，三星已在西安厂区启动第八代236层V8 NAND闪存的量产工作，标志着厂区正式从128层产品向200层以上高性能NAND产品切换。预计2026年内将完成第九代286层V9 NAND的工艺过渡，进一步强化西安厂区在三星NAND业务中的核心地位。数据显示，西安厂区产能约占三星NAND总产出的四成。

美方出口管制持续升级，为三星西安厂区升级计划带来不确定性。朝鲜Biz称，美方针对半导体设备对华出口管制趋严，或导致先进设备进口受阻，三星也可能因此在更严格法规落地前加速产线升级进程。

据韩国经济日报报道，美国国会正审议针对中国的高强度出口管制法案，在华美企相关运营情况备受关注。目前法案包含例外条款，总部位于非关注国家企业的现有厂区，或不被纳入“关键半导体制造设施”范畴，三星西安厂区及SK海力士无锡、大连厂区或在适用范围内。

但不确定性依然存在。报道提及，去年年底美国商务部工业与安全局已将上述厂区的设备进口改为年度审批制度，若《MATCH法案》正式生效，监管力度或将进一步收紧，现有安排可能面临重新评估。

产线升级与工艺切换涉及多环节调整，周期较长。朝鲜Biz表示，半导体产线全面升级不仅是设备替换，还包括工艺校准、良率稳定及产品结构调整以匹配市场需求，行业内此类升级通常耗时至少半年，部分项目超过一年。三星当前将工艺升级优先级置于短期产能之上，西安厂区持续升级不仅影响自身运营，也将对全球NAND闪存供需格局及价格走势产生影响。