美光 2035 年前美国投资超 2500 亿美元，目标本土 DRAM 产能占比提升至 40%

当地时间2026年7月9日，美光科技发布官方新闻通稿，正式上调美国本土长期投资规划，计划至2035年在美国晶圆制造、技术研发领域总投入超过2500亿美元。

本次投资规模较2025年6月首次披露的2000亿美元规划新增500亿美元，公司表示加码投资的核心动因是人工智能产业爆发带动全球存储芯片需求持续走高。按照长期产能目标，美光计划通过多基地同步扩产，将美国本土产出DRAM的规模提升至全球DRAM总产量的40%。企业官方声明提及，本次扩大本土投资，源于自身对存储技术领先地位的信心，同时预判高端内存产品长期需求将维持高位。

全部投资将落地美国三大核心产业区域，分别为爱达荷州、纽约州克莱镇、弗吉尼亚州马纳萨斯。配套落地多项新建、改扩建工程：在爱达荷州博伊西建设第二座先进存储晶圆厂；升级改造弗吉尼亚现有制造产线；推进纽约州全新大型存储园区建设。7月9日当天，纽约州厂区同步完成首次混凝土浇筑施工，整体建设进度较原计划提前超过一个季度，该园区建成后将成为美国规模最大的半导体制造基地。

公告同步披露配套供应链投入规划，公司计划额外拿出30亿美元完善美国本土半导体上下游生态。其中包含向环球晶圆提供5亿美元战略融资，支持其美国300mm硅晶圆工厂建设，双方同步签署十年长期硅片供货协议，保障美光长期扩产所需原材料供给。

本次大规模扩产可创造大量直接与间接高薪就业岗位，美国商务部长、纽约州州长等政府官员出席纽约厂区浇筑仪式，将该投资视作强化美国本土半导体供应链自主可控能力的核心项目。公开产业信息显示，美光可依托美国《芯片与科学法案》获取约61.4亿美元配套补贴资金，支撑本土先进DRAM、HBM存储芯片产线落地。

本次投资周期跨度至2035年，覆盖晶圆制造、前沿存储技术研发、先进封装、供应链配套全环节。