美光科技投资93亿美元扩建先进存储芯片项目 预计2028下半年出货HBM

当地时间7月4日，美光科技举行日本广岛工厂扩建项目破土动工仪式，总投资1.5万亿日元（约合93亿美元），新产线聚焦HBM等高带宽先进存储芯片生产，匹配全球AI算力硬件激增的存储需求。

根据企业现场披露规划，本次广岛扩建项目核心产品为HBM高带宽内存，该芯片是英伟达AI GPU的核心配套组件，直接决定大模型训练、推理服务器的算力承载能力。厂区新建设备产线预计2028年夏季实现量产出货。日本经济产业省为项目配套最高5000亿日元产业补贴，覆盖约三分之一建设投资，日本经济产业大臣出席奠基仪式，确认广岛为日本本土唯一DRAM制造基地，具备关键产业战略价值。

美光CEO桑杰·梅赫罗特拉在奠基活动现场表示，美光首款HBM量产晶圆即在广岛工厂完成制造，该厂区依托日本本地完备的半导体材料、设备供应链，是企业全球AI存储产能布局的核心支点。广岛工厂源自2013年美光收购尔必达存储后承接的成熟制造基地，扩建完成后将专门面向全球AI芯片厂商供应新一代HBM产品，同步支撑自动驾驶、高端数据中心存储芯片量产。