EN CN
注册

【材料/设备】ASML开发新一代EUV设备 预计2025年量产

来源:TechNews科技新报    原作者:Atkinson    

当前半导体制程微缩已经来到10纳米节点以下,EUV极紫外光光刻技术已成为不可或缺的设备,包括现在的7纳米制程,以及未来5纳米、3纳米甚至2纳米制程都将采用该技术。

藉由EUV设备导入,不仅可以加快生产效率、提升良率,还能降低成本,除了晶圆代工业者积极导入,连DRAM存储器生产厂商也考虑引进。

为了因应制程微缩的市场需求,全球主要生产EUV设备的厂商ASML正积极开发下一代EUV设备,就是High-NA(高数值孔径)EUV产品,预计几年内就能正式量产。

根据韩国媒体《ETNews》报导,High-NA的EUV设备与目前EUV设备的最大不同点,在于使用EUV曝光时,透过提升透镜解析度,使解析度(resolution)和微影叠对(overlay)能力比现行EUV系统提升70%,达到业界对几何式芯片微缩(geometric chip scaling)的要求。

ASML利用德国蔡司半导体业务部门的技术提升透镜解析度,就为了此目的,ASML于2016年正式收购了德国蔡司半导体业务部门24.9%股权。

针对下一代High-NA的EUV产品,ASML之前也已从3个主要客户取得4台订单,并售出8台High-NA EUV产品的优先购买权。这些订单中,晶圆代工龙头台积电也是其中之一。

事实上,2018年时,台积电就宣布增加3亿美元资本支出,为下一代EUV设备的预付款,也就是已预购新一代High-NA的EUV设备。针对新一代High-NA EUV设备,ASML预计2025年正式量产。

图片声明:封面图片来源于ASML官网

如需获取更多资讯,请关注全球半导体观察官网(www.dramx.com)或搜索微信公众账号(全球半导体观察)。