EN CN
注册

【材料/设备】Cree积极扩厂开发功率及射频元件,GaN on SiC磊晶技术发展待观察

来源:拓墣产业研究院    原作者:王尊民    

全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元,SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力,决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市,扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory),期望借此扩建案,提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占,并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。

Cree收回Wolfspeed事业部,加码扩厂开发功率及射频元件

以LED材料与元件起家的Cree,近年将研发方向集中于功率及射频元件领域的理由,可从其与Infineon的并购案渊源说起。原先Cree旗下以功率及射频元件为主力的Wolfspeed事业部因本身经营策略,已规划于2016年7月公告出售该部门至Infineon功率半导体事业体,期望借由此次并购案,使Infineon成为车用SiC元件上的领先霸主;但事情发展并非如此顺利,2017年2月出售案经美国外资投资委员会(CFIUS)评估后,以可能涉及军事管制技术原因决议禁止该并购案,迫使Cree需重新思考因应策略及经营方针。

此后Cree于2018年2月及3月时,提出与Infineon的SiC晶圆长期供货协议,并向Infineon收购其射频功率半导体事业部,试图解决美国外资投资委员会出售禁令的损失,保持与Infineon之合作关系。

2019年5月Cree又提出扩厂计划,说明其已将开发重心逐渐转回功率及射频元件领域上,持续投入8寸SiC晶圆生成技术的提升,藉此拉抬SiC元件于车用、工业及消费型电子领域之市占空间。

各厂于GaN on SiC磊晶技术之目标市场皆不同,后续发展仍需持续观察

现行GaN on SiC磊晶技术主要集中于Cree手中,Cree拥有最大SiC晶圆市占率(超过5成以上);根据官网资料,目前使用的SiC基板尺寸最大可达6寸,主要应用于功率半导体的车用、工业及消费型电子元件中,少量使用于通讯射频领域上;未来扩厂计划完工后,预期可见8寸SiC基板应用于相关功率及射频元件制造。

另外,Cree在GaN on SiC磊晶技术领域的竞争对手为NTT AT(日本电信电话先进技术),其使用的SiC基板最大尺寸为4寸,借由后续磊晶成长如AlGaN(或InAlGaN)缓冲层后,形成HEMT(高电子移动率晶体晶体管)结构,目标开发高频通讯功率元件。

因此现阶段GaN on SiC磊晶技术之应用情形,各家厂商瞄准的目标市场皆不同,该技术仍处于发展阶段,有待后续持续关注。

图片声明:封面图片来源于正版图片库:拍信网

如需获取更多资讯,请关注全球半导体观察官网(www.dramx.com)或搜索微信公众账号(全球半导体观察)。