2019-04-16
4月16日，三星官网发布新闻稿，宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发，现已准备好向客户提供样品。与7纳米工艺相比，三星的5纳米FinFET工艺技术提供了高达25%的逻辑面积效率提升。
2019-04-16
双光束超衍射极限光刻系统目前主要应用于微纳器件的三维光制造，未来随着进一步提升设备性能，在解决制造速度等关键问题后，该技术将有望应用于集成电路制造。
2019-04-12
韩国媒体报导，三星将从 2019 年的 6 月份开始，量产 7 纳米 EUV 制程，首项产品就是自家的 Exynos 9825 处理器，并且用于 2019 年下半年的预计推出的旗舰型 Galaxy Note 10 系列智能型手机。
2019-04-03
目前最先进的EUV光刻工艺使用的是13nm光源，能够满足7nm线宽制程工艺的要求。全球能够达到这种水平的光刻机制造商暂时只有一家——ASML。
2019-04-03
直到日前，三星提交的报告显示，他们投资 13 亿美元的华城生产线已经完成建设工作，三星的 7 纳米 EUV 制程现在才算真正进入量产。
2019-03-18
三星晶圆代工亦加快先进制程布局，包括8纳米及7纳米逻辑制程进入量产后，今年将推进至采用EUV技术的5/4纳米，以及支援嵌入式磁阻随机存取存储器（eMRAM）的28纳米全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）制程进入量产，并会在今年推进至18纳米。
2019-02-13
半导体设备大厂荷兰商艾司摩尔 (ASML) 在财报会议上表示，2019 年 ASML 将把极紫外光刻机 (EUV) 的年出货量从 18 台，提升到30 台之后，现有外国媒体报导，晶圆代工龙头台积电将抢下这 30 台 EUV 中过半的 18 台数量，
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