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【功率器件】资料中心与5G建置需求高涨,功率半导体市场将逐步回稳

来源:拓墣产业研究院    原作者:王尊民    

功率半导体晶圆制造代工大厂汉磊,公布2019年第三季营收情形,由于2019年前3季市场遭遇去库存及市况不佳等因素影响,第三季营收为1.24亿美元,年减21.2%。

面对大环境不佳挑战,汉磊总经理庄渊棋表示:「2019年第三季开始,营收表现将谷底反弹,并且随着功率半导体需求逐季回稳;预计到2020年第二季,整体产能利用率有机会回升至9成。」

现行功率元件由于成本考量,主要以Si与SiC晶圆并搭配磊晶技术为主流

由于功率半导体所需的操作电压较大,传统Si元件因本身材料特性,崩溃电压值(Breakdown Voltage)难以承受数百伏特以上,因而元件材料逐渐改由第三代半导体之宽能隙材料(SiC与GaN)取代。

另一方面,由于晶圆(Substrate)成本与制程条件等考量,Si晶圆无论在尺寸、价格上仍较SiC与GaN晶圆大且便宜许多,所以为求有效降低晶圆成本,磊晶生成技术此时就变得格外重要。

目前制造功率半导体的主流晶圆,依然以尺寸较大、价格平价的Si晶圆为大宗;而可承受高电压但尺寸稍小、价格稍贵的SiC晶圆则为次要。

选定晶圆材料(Si或SiC)后,即可透过MOCVD或MBE机台,成长元件所需之SiC或GaN磊晶结构;随后再进行相关半导体前段制程(薄膜、显影及蚀刻)步骤,最终完成1颗功率元件。

全球资料中心与5G基地台建置需求,引领功率IDM厂与代工厂营收动能

根据现行功率半导体发展情形,目前主要以GaN(氮化镓)及SiC(碳化硅)等第三代半导体材料为主。

其中,国际IDM大厂如英飞凌Infineon、科锐Cree、II-V等投入动作最积极,且相关厂商正试图抢占全球宽能隙材料磊晶生成与晶圆代工等市场。

近期搭上Server资料中心与5G基地台设备建置需求,预估到2019年第四季,国际IDM大厂于功率半导体与电源管理芯片等订单需求将逐步提升,因而带动底下制造代工厂商相关产能跟着扩张。

跟随此发展趋势,汉磊为第三代半导体中的制造代工大厂,虽然2019年前3季营收市场状况表现略有不佳,但随着近期IDM大厂的逐步转单挹注下,将驱使提升整体产能利用率,对于后续经营发展上将有一定程度上的助益。

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