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【功率器件】抢攻CIS图像传感器市场 三星开发14纳米FinFET制程技术

来源:TechNews科技新报    原作者:Atkinson    

已经在2019年发展出1亿像素影像传感器(CIS)的韩国三星,目前似乎并不打算停止他们再推出相关高端产品的步伐。因为三星在最近的IEDM 2019大会上,介绍了该公司正在将目前用于逻辑处理器生产的14纳米FinFET制程导入到未来的1.44亿像素影像传感器的生产上,藉此以生产高效能,且低耗能的影像传感器。

据了解,目前相机模组中常见的CMOS影像传感器就是一种典型的半导体芯片。透过接收光线,并将其转换为电子信号。再藉由CMOS影像传感器上内建的ADC转换器,用于将电子信号转换成数字信号,然后数字信号被送入其他处理器进行处理,最后进一步成像。所以,CMOS影像传感器本质上就是一种半导体芯片,自然就会受到半导体制程技术的影响。

不过,CMOS影像传感器并不像逻辑处理器那般复杂,需要很先进的制程技术,这使得现阶段还能在CMOS影像传感器的生产上看到40纳米、60纳米等过时的成熟制程。只是,在感光层之下的信号处理器就有很大的差别了,由于这里是协助数字信号转换成图像的地方,使得这部分与各种处理器兴同,将会对制程技术有一定的敏感度,可藉由在新制程生产,达到更低的工作功耗,以节省电量。

不过,目前最大的问题还是电压,CMOS影像传感器工作时需要一个较高的电压,这个电压值虽然在我们看来仍旧算低的,但对于1x纳米制程下的半导体元件来说,已经算是非常高的。现阶段三星也似乎是解决了这个电压问题,在原本用于逻辑处理器生产的14纳米制程基础上,新开发了一种适用于CMOS影像传感器的制程技术。

三星指出,在新的正成技术下,传感器的整体功耗降低了非常多。尤其是数字信号处理方面,对新制程技术更加敏感。整体来说,在1.44亿像素下进行10fps的连拍时,最高可以节约42%的电能。而这样的结果对于功耗敏感的行动产品来说将是非常大的突破。而除了性能与功耗都叫现阶段产品有更进一步的提升之外,市场人士认为,三星以14纳米FinFET制程来生产CMOS影像传感器,还有一样重大因素,就是为了抢攻市场而来。

先前有媒体报导,近半年来受惠于5G题材的发酵,智能手机对照相品质要求大无提升的情况下,影像像传感器市场持续火热,但如今供应链产能紧张问题仍未得到缓解。因此日前是常传出目前全球图像传感器龙头SONY,因产能不足首次释单给台积电的40纳米制程来生产,而其他包括联电与力积电等晶圆代工厂商业陆续也都拿下CMOS影像传感器产品的大单,显见当前影像传感器的市场热络。

另外,根据市场研究公司调查结果显示,SONY在2019年第1季以51.1%市占率位居图形传感器市场龙头。紧跟在后的是三星电子17.8%,Omni Vision以13.5%排名第3,之后为安森美半导体5.7%以及SK海力士2.7%。三星电子也正在积极投入影像传感器发展,企图力赶SONY的市场领导地位。

所以,透过较先进制程的生产,三星除了企图能以更高效能的产品抢攻SONY的市占率之外,还能够带动本身在晶圆代工市场的营收。至于,整体的最后成果如何,就有待日后密切观察。

封面图片来源:拍信网

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