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GaN新技术可使散热能力提高2倍以上

来源:全球半导体观察整理       

近期,大阪公立大学的研究团队成功利用金刚石为衬底,制作出了氮化镓(GaN)晶体管,其散热性能是使用碳化硅(SiC)衬底制造相同形状晶体管的两倍以上,有望应用于5G通信基站、气象雷达、卫星通信、微波加热、等离子体处理等领域,该研究成果已发表在“Small”杂志上。

随着半导体技术不断发展,功率密度和散热等问题日益凸显,业界试图通过新一代材料解决上述问题。

据悉,金刚石具备极强的导热性能,氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性,居于上述特性,以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。

在最新研究中,大阪公立大学的科学家们成功地用金刚石作为衬底制造了GaN高电子迁移率晶体管。为了进一步提高金刚石的导热性,研究人员在GaN和金刚石之间加入了一层3C-SiC(立方碳化硅)层。这一技术显著降低了界面的热阻,从而提高了散热效率。

封面图片来源:拍信网