来源:全球半导体观察整理
6月27日,半导体制造商Nexperia(安世半导体)宣布,计划投资2亿美元(约合人民币14.5亿元)开发碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等下一代宽带隙半导体(WBG),并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。
从2024年6月开始,安世半导体三种工艺(SiC、GaN和Si)器件都将在德国开发和生产,以满足对高效功率半导体日益增长的长期需求。
安世半导体表示,这笔投资还将有助于德国汉堡工厂现有基础设施的进一步自动化,并通过系统地转换到8英寸晶圆来扩大硅生产能力。公司在扩大无尘室面积后,还将新建研发实验室,以继续确保未来从研究到生产的无缝过渡。
安世半导体德国首席运营官兼董事总经理Achim Kempe称,未来,公司汉堡晶圆厂将覆盖宽带隙半导体的全系列,同时其仍然是最大的小型信号二极管和晶体管工厂。
此外,同月,安世半导体首批高压GaN d-mode晶体管和SiC二极管生产线投产。该公司称,下一个里程碑将是建设SiC MOSFET和低压GaN HEMT 8英寸现代化高性价比生产线,这些产线预计在未来两年内在汉堡工厂建成。
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