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半导体巨头:2025年碳化硅将全面升级为8英寸

来源:集邦化合物半导体       

6月28日,据韩媒报道,意法半导体(ST)将从明年第三季度开始将其碳化硅(SiC)功率半导体生产工艺从6英寸升级为8英寸。该计划旨在提高产量和生产率,以具有竞争力的价格向市场供应SiC功率半导体。

意法半导体功率分立与模拟产品部副总裁Francesco Muggeri近日接受记者采访时表示:“目前,生产SiC功率半导体的主流尺寸为6英寸,但我们计划从明年第三季度开始逐步转向8英寸。”

随着晶圆尺寸的增加,每片可以生产更多的芯片,每颗芯片的生产成本降低。SiC晶圆正在从6英寸逐步转变到8英寸。

意法半导体计划明年第三季度在意大利卡塔尼亚的SiC晶圆厂过渡到8英寸,随后在新加坡的晶圆厂也将过渡到8英寸。与三安光电合资的中国工厂预计将于同年第四季度开始生产8英寸SiC晶圆。

目前,SiC功率半导体供不应求,价格居高不下,但预计这种情况将趋于稳定。

Muzeri说:“现在销售的产品是来自两年多前的订单,价格很高,但2027年之后的报价比现在的低15~20%,SiC半导体已经在一定程度上定价了。”

至于对全球电动汽车市场增长停滞的担忧,他表示没有大的影响。他说,欧洲、美国和韩国等一些增长最快的国家增长放缓,暂时降低了需求,但并未造成半导体需求的大幅下降。

Muzeri表示:“汽车生产用半导体的数量有所增加,对SiC功率半导体的需求仍然强劲。就电动汽车而言,使用SiC功率半导体时,行驶里程可以增加18~20%,预计未来汽车的采用率将从目前的15%提高到60%。”

封面图片来源:拍信网