PI 官宣 PowiGaN 氮化镓技术耐压升级至 2200V

据美国商业资讯，当地时间2026年8月5日，高压电源芯片厂商Power‑Integrations（PI）对外公布，旗下独家PowiGaN氮化镓技术额定耐压提升至2200V，参数已经超过市面上所有已经商用的氮化镓器件规格。

本次对外披露属于技术成果展示，对应量产元器件还处在研发阶段。该款2200V横向GaN开关采用蓝宝石基氮化镓、耗尽型共源共栅架构，封装型号为InSOP‑28D；器件在1760V工况之下可持续输出1.5A电流，关断击穿电压大于4kV，最高开关频率可达1MHz，高压安全余量充足。

行业之中主流硅衬底氮化镓器件受材料工艺约束，商用额定电压大多止步于900V，1000V以上高压电源市场长期以碳化硅器件为主。PI的PowiGaN产品线多年逐级迭代，从2018年750V起步，后续依次落地900V、1250V、1700V版本，如今迈上2200V的全新台阶。

按照PI官方规划，该高压氮化镓技术面向多类高压电力场景，适配行业新一代1500V AI数据中心高压配电母线、新能源汽车车载电源、光伏储能装置、高压直流输电基础设施。更高耐压规格能够减少电源内部元器件串联数量，简化电源架构、拉高开关频率，以此提升整机功率密度与电能转换效率。

企业高管介绍，当下各类电力硬件开始普及高压母线设计，高压氮化镓成熟之后，氮化镓器件便可切入从前碳化硅独占的高压赛道，给工业、算力基建、新能源车电源方案提供全新选型方向。