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【制造/封测】首款中芯国际“N+1”工艺芯片流片成功

来源:全球半导体观察       

近日,珠海特区报援引芯动科技消息称,芯动科技已完成全球首个基于中芯国际FinFETN+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过,为国产半导体生态链再立新功。

中芯国际是国内芯片制造领域的龙头企业,“N+1”工艺是其在第一代先进工艺14nm量产之后的第二代先进工艺的代号。中芯国际联席CEO梁孟松博此前公布的信息显示,N+1工艺和现有的14nm工艺相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。

在2020年半年报中,中芯国际曾表示,第二代先进工艺(N+1)进展順利,已进入客户产品验证阶段。今年9月,该公司回应称,第二代FinFETN+1工艺已经进入客户导入阶段,有望于2020年底小批量试产。

封面图片来源:拍信网