来源:全球半导体观察
长飞先进武汉基地于5月29日正式投产首批碳化硅晶圆,成为我国规模最大的碳化硅半导体基地。该基地预计将贡献国产碳化硅晶圆产能的30%,为我国新能源产业解决缺芯问题提供支持。碳化硅被誉为新能源时代的“技术心脏”,是新一代信息技术的基础材料,全球各国都在争相布局这一领域。
长飞先进武汉基地是武汉东湖科学城首个落地的百亿级半导体项目,历时18个月从荒地到量产,吸引了超过20家配套企业入驻,形成了覆盖设备、材料、封测的完整产业链。该基地总投资超过200亿元,首期项目专注于第三代半导体功率器件的研发与生产,年产能力达到36万片6英寸碳化硅晶圆,预计可满足144万辆新能源汽车的制造需求。
长飞先进的投产标志着我国在碳化硅领域的重大进展,推动了第三代半导体技术的自主创新与发展,助力我国在全球半导体产业中实现从“跟跑”到“并跑”的转变。