【一周热点回顾】2017年NAND Flash价格稳健走扬；SK海力士27亿美元投资中韩存储器市场

2017年NAND Flash价格稳健走扬

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究报告显示，2017年一整年，2D NAND市场都将处于持续缺货的状况，而在64层堆栈3D-NAND 顺利导入OEM系统产品前，3D NAND也将同样处于缺货状态。在这样的市场背景下，NAND Flash价格将稳健走扬，各大NAND原厂在明年的运营也有望持续向上。

供给端方面，2017年NAND的位元产出年成长将以3D NAND 为主。主要是因为在NAND Flash原厂加速将NAND制程从2D转向3D的过程中，除三星电子以外，大部分厂商的制程转换良率提升速度普遍趋缓，使得2D NAND Flash供给下滑严重，导致2017年2D NAND缺货情况更加明显。

需求端方面，受惠于行动式NAND平均搭载量不断攀升，以及非苹果智能手机品牌为提升产品竞争力加速提升eMMC／UFS的容量，2017年，SSD固态硬盘需求成长将迎来大爆发，所消耗的Flash比重将占整体NAND Flash消耗量的40%。

DRAMeXchange预估，自2017年第一季起，2D-NAND的供给量的滑落速度将更加快速，至第三季占整体NAND出货比重将滑落至50%以下。

中国半导体基金布局将重点转向IC设计

自国家集成电路产业投资基金（即“大基金”）成立以来，承诺投资额已经接近700亿元人民币，其中用于半导体制造晶圆厂建设的投资金额达到60%。据拓墣产业研究院统计，自2015年至今，中国计划在晶圆厂方面的投资金额约为4800亿元，其中大陆出资达到约4350亿，占整体半导体基金（包括大基金和地方基金）总额的86.5%。

不过，作为集成电路产业发展的基础，近年来IC设计业越来越受到政府和企业的重视，企业增长数量在一年内几乎翻倍，2016年，中国IC设计公司已经从去年的736家增加到1362家。

目前，大基金已经参与或承诺投资的半导体IC设计企业为6家，其中对紫光集团有限公司的投资金额为100亿元，其次为深圳中兴微电子有限公司和北京北斗星通导航技术有限公司，分别为24亿和15亿元。

拓墣产业研究院预计，在基本完成制造端资金布局后，为提升企业的研发创新能力，加速IC设计业海外并购步伐，中国半导体基金未来的投资重点或将支持IC设计业，尤其是对能与中国半导体资源形成互补或加强的NOR Flash等细分市场领域，也会是未来大基金的重点投资方向。

紫光集团197亿投资长江控股

12月21日晚间，紫光国芯发布公告，称其间接控股股东紫光集团将与长江存储共同出资成立长江控股，以实现对长江存储的控制，其中紫光集团下属控股子公司紫光控股出资197亿元。

公告显示，长江控股成立后，长江存储将成为其全资子公司，由紫光控股持有长江控股51.04%的股权，大基金、湖北国芯投资和湖北省科投合计占长江控股48.96%的股权。

作为扩张存储芯片业务的重要战略布局，紫光集团此次拿下长江存储，无疑将与其未来规划投资进入存储器芯片制造领域的目标形成潜在同业竞争。

为解决上述问题，紫光集团承诺，紫光国芯未来规划发展存储器芯片制造业务时，在满足条件的情况下，紫光国芯有权通过非公开发行、重大资产重组等方式对长江存储进行产业整合。

对于本次紫光国芯未直接参与投资的原因，公告称，主要是因为本次投资金额巨大，而紫光国芯自有资金不足以完成本次收购，加上本次投资时间有限，审核周期较长，若由紫光国芯通过非公开发行、重大资产重组等方式进行投资，将无法在预定时间内完成，因此本次投资由紫光控股进行。

SK海力士27亿美元投资中韩存储器市场

此前，集邦咨询（TrendForce）等市场研究机构预估，2017年，DRAM存储器价格将维持涨势，这一消息让不少厂商加码存储器市场，建新厂，扩产能。而此前外界盛传韩国半导体大厂SK海力士将扩产的消息也在近日得到了证实。

12月22日，SK海力士公布最新投资建厂计划，宣布将在韩国和中国投资3.16万亿韩元（约27亿美元）扩大存储器芯片产能。

根据曝光的计划来看，SK海力士的韩国新厂将在下个月展开设计，地址位于其NAND Flash生产的大本营韩国清州市，主要用于NAND Flash快闪存储器的产能扩建，总投资金额为2.2万亿韩元，预计明年8月开始外壳结构与无尘室建构，2019年6月完工。

此外，SK海力士同时宣布，将在2017年7月至2019年4月期间投资9500亿韩元（约8亿美元））扩增中国无锡DRAM厂的芯片产能。