【年终盘点】2016年半导体行业十大热点回顾

在即将过去的2016年，全球半导体行业再次迎来高速发展，“企业并购”、“产能扩张”、“地方基金”等成为了业界评论2016年半导体产业发展的主要关键词。

2016年全球半导体并购案超过40起；不少国际半导体厂商纷纷在大陆投资建厂；地方基金的成立成为推动大陆集成电路产业快速发展不容忽视的重要力量...

那么，除了持续2015年的并购潮、地方基金相继成立等行业热点之外，2016年的半导体行业还有哪些值得我们回顾的大事件呢？对此，全球半导体观察特意进行了梳理回顾！

1、紫光整并武汉新芯成立长江存储

3月28日，武汉新芯投资240亿美元的存储器基地项目在武汉东湖高新区正式启动。按照武汉新芯初期规划，该项目涵盖存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试，以及销售等产业链各环节，预计到2020年实现月产能30万片，2030年生产规模达100万片/月。

不过，这并不是武汉发展存储器产业的最终动作。

7月26日，长江存储科技有限责任公司（简称“长江存储”）正式成立，该公司以武汉新芯为基础，由紫光集团和国家集成电路产业投资基金（即“大基金”）共同负责二期资金，而武汉新芯则成为了长江存储的全资子公司。

12月21日晚间，紫光国芯发布公告称，其间接控股股东紫光集团将通过其下属控股子公司紫光控股出资197亿元，与长江存储现有股东共同出资设立长江控股，长江存储将成为其全资子公司，而未来紫光国芯有权通过非公开发行、重大资产重组等方式对长江存储进行产业整合。

作为推动中国集成电路产业发展的两大中坚力量，紫光与武汉新芯的结合有利于资源整合，增加在全球竞争激烈的存储器产业中对抗国际大厂的优势。

2、高通470亿美元收购恩智浦

2016年10月27日，高通以470亿美元的天价收购恩智浦，一举成为全球最大的汽车半导体厂商，而这一交易也成为了半导体市场迄今为止最大的一宗并购交易。

众所周知，高通是一家全球知名的半导体设计公司，随着这一交易的完成，高通成功从一家无晶圆IC设计厂商转变成为IDM（整合组件制造）厂商，同时也可凭借恩智浦此前在汽车电子领域的客户积累，在最短的时间内快速获取新市场客户，改变车用半导体和物联网领域的市场格局。

不过，面对如此巨大的收购案，对高通而言并非毫无风险，除了要对两家企业的资源进行整合之外，高通不仅将面临供应链管理带来的首要挑战，还必须尽快与恩智浦的产品进行区隔，避免影响其与客户之间的关系。

3、中芯国际加速产能扩张

2016年的中芯国际在集成电路产业的投资布局上可谓是全面开花，不仅开展了多项并购业务，在晶圆产能布局方面更是不遗余力。

今年4月，中芯国际向半导体封测厂商长电科技注资26.55亿元，成为其最大的单一股东；6月24日，中芯国际斥资4900万欧元收购意大利纯晶圆代工厂商LFoundry 70%股权。

在晶圆产线布局上，2016年的中芯国际也因为大规模的投资扩产计划而再次成为行业关注的焦点。

10月13日，中芯国际宣布投资675亿元在上海兴建新的12英寸晶圆产线，全部满产后规模可达每月7万片；10月18日，中芯国际宣布启动天津8英寸晶圆产线产能扩充项目，计划全部达产后将达到15万片/月；11月3日，中芯国际再次宣布，在深圳启动华南地区第一条12英寸晶圆产线。

4、台积电独资30亿美元南京建厂

近年来，在中国大陆政策利好不断释放的背景下，不少知名半导体厂商都陆续在中国大陆投资了制造基地，例如英特尔、三星和联电已分别在大连、西安和厦门设立了12寸晶圆厂，力晶与合肥市政府合资成立的晶合公司的12寸晶圆厂也正在兴建中。

作为全球最大晶圆代工企业的台积电，自然也成为了中国大陆优先争取的对象之一。

3月28日，台积电与南京市政府正式签署12英寸晶圆厂合作协议。据悉，该项目投资金额达30亿美元，由台积电独资，享有国务院最高级别“五免五减半”（5年免税，5年减半征税）的优惠条件。

今年7月，该项目正式动土兴建，目前正在加快建厂速度，预计厂房及生产线将在2017年底前完工，2018年下半年开始量产16纳米制程，规划月产能为2万片，台积电南京厂也将成为大陆技术最先进的晶圆制造厂。

5、地方政府基金助推集成电路产业发展

2016年，集成电路产业地方基金如雨后春笋般相继成立，据全球半导体观察统计，仅2016年一年，大陆已经有9支地方政府集成电路产业基金成立，涉及资金近2000亿元人民币，同时，还有多支地方基金也在紧锣密鼓的筹备当中。

1月，上海市集成电路产业基金成立；2月，福建省成立安芯产业投资基金；3月，厦门国资紫光联合发展基金和湖南国微集成电路创业投资基金成立；5月，辽宁省集成电路产业基金和四川省集成电路与信息安全产业投资基金成立；6月，广东省集成电路产业投资基金和深圳市集成电路产业投资基金成立；9月，陕西省集成电路产业投资基金成立。

在这些已经成立的地方基金中，大部分都将用于集成电路产业的设计、制造、封测、材料和设备等领域，可以说是涵盖了集成电路全链条产业生态。其中尤以上海和福建两支基金设立的目标规模特别巨大，均达到500亿元，其次为陕西省的300亿元。

对于具有高门槛、高投入和回报周期长特点的集成电路产业而言，如果说国家政策的颁布给集成电路企业的发展指明了方向，那么大基金和地方基金的成立则给企业带来了强有力的信心。

6、晋华存储器项目填补国内主流DRAM领域空白

7月16日，福建省晋华存储器集成电路生产线项目正式开工。作为中国发展集成电路产业的重大战略布局，该项目建成后，晋华将成为国内首家具有自主技术的DRAM存储器研发制造企业。

据悉，该项目总规划面积达594亩，主要建设12英寸内存晶圆生产线，开发先进存储器技术和制程工艺，同时开展相关产品的制造和销售。项目分四期进行，首期370亿元，预计2018年9月达产后将形成6万片/月的生产规模，年产值12亿美元，四期全部建成后月产24万片，年产值可达48亿美元。

目前项目建设已经取得阶段性进展，晋华公司与台南科技园技术合作成立的联合科研中心已经步入正轨，140名科研人员整装待发，待项目落产后即可投入相关产品的技术研发。此外，为确保项目试投产的顺利实现，该项目正在加紧施工建设，目前，已经完成了部分配套设施的收尾工作。

7、中国成立“高端芯片联盟”

今年4月19日，国家主席习近平在全国网络安全和信息化工作座谈会上倡议：“一些同志关于组建产学研用联盟的建议很好。比如，可以组建互联网+联盟、高端芯片联盟等，加强战略、技术、标准、市场等沟通协作，协同创新攻关。”

7月31日，在国家集成电路产业发展领导小组办公室的指导下，“中国高端芯片联盟”正式成立。

该联盟由紫光集团、长江存储、中芯国际、华为、中兴、联想、中科院微电子所、工信部电信研究院、清华大学、北京大学等在内的27家中国半导体产业链重点骨干企业、研究院所和著名院校共同发起。

“中国高端芯片联盟”旨在围绕高端芯片领域，以建立产业生态为目标，重点骨干企业为主体，整合行业资源，促进战略、技术、标准、市场等沟通协作，打造“架构-芯片-软件-整机-系统-信息服务”的产业生态体系，推进集成电路产业快速发展。

8、海思麒麟960跑分性能赶上国际先进水平

10月中旬，华为在上海正式发布全新手机旗舰芯片产品——海思Kirin 960，相比上一代的麒麟950，麒麟960在性能、续航、拍照、音频、通信和安全方面都有了极大地提升，成为国内首款能和高通骁龙、联发科芯片在跑分性能上一较高下的产品。

据悉，该款芯片由台积电代工，采用16纳米FinFET+制程工艺；具备八核芯架构，有4颗Cortex-A73和4颗Cortex-A53；根据华为官方的说法，麒麟960比上一代芯片CPU能效提升15%，GPU能效提升20%，图形处理性能甚至提升了180%。

从华为此前在发布会上展示的GeekBench（跑分程序）跑分来看，麒麟960单核跑分只输给苹果A10，表现比高通骁龙821和三星Exynos8890略胜一筹，在多核跑分上，麒麟960更是击败群雄，一枝独秀。

不可否认，华为与高通和联发科等巨头厂商依然存在一定的差距，但麒麟960的出现也让我们惊叹华为在移动处理器方面的巨大进步，并且华为也正在努力进一步缩小与国际先进企业之间的差距。

9、中国资本海外并购屡屡受挫

2016年，中国资本在海外半导体产业的并购之路上频频受挫。

12月8日，福建宏芯基金发布声明称，其对德国半导体制造商爱思强（Aixtron）的收购要约已经失效，而造成这一结果的主要原因，就是美国总统奥巴马接受了美国外国投资委员会（CFIUS）的建议，以国家安全为由禁止宏芯基金收购爱思强的美国业务。

事实上，美国政府阻挠中资收购外国企业这已经不是第一起。今年2月，紫光集团终止对美国上市公司西部数据的股权认购、半导体行业元老级企业仙童半导体拒绝中资财团对其26亿美元的收购要约等都是因为CFIUS的介入。

此外，还有消息称，中资财团Canyon Bridge对美国芯片制造商莱迪思半导体的13亿美元收购案也在12月初遭到了超过20位美国国会议员的联合阻挠，而阻挠原因也同样是因为“国家安全”。

从以上案例中可以看到，未来中国半导体的海外并购之路也不会一帆风顺，因此，中国半导体产业要想真正意义上摆脱“缺芯”困境，最重要的还是自主创新，推动国内集成电路产业自主建设。

10、DRAM、NAND供不应求 价格持续上涨

2016年，对于存储器上游原厂来说，可谓是“先苦后甜”。

上半年，DRAM和NAND Flash价格都处在持续走跌的不利局面。尤其是DRAM产业，根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）此前的研究表明，由于长期需求不振，今年6月份，DDR3 4GB合约均价仅12.5美元，较2014年10月的32.75美元，跌幅高达62%。

尽管NAND Flash在第二季度结束了前两季连续衰退的颓势，品牌厂商营收逆势季成长3.4%，不过对于NAND厂商而言，2016年NAND Flash价格回温真正意义上的转折点还是6月份三星西安厂意外停电，从而引爆NAND产品全面涨价。

当然，这只是导火索，价格上涨的真正原因还是市场供需不平衡造成的。

时序进入2016年下半年以后，DRAM和NAND Flash市场价格开始全面开花。

受惠于智能手机出货强劲，DRAM内存搭载量不断攀升，以及DRAM原厂逐渐将标准型内存向行动式内存和服务器用内存转进等因素，导致第三季度标准型内存价格上涨，同时带动其他类别内存价格上扬，DRAMeXchange数据显示，11月，DRAM 4GB模组均价月涨幅2.86%，达到18美元。

此外，由于智能手机和SSD固态硬盘的强劲需求，以及供给端从2D-NAND向3D-NAND转进导致NAND整体产出减少，使得NAND Flash供应吃紧。第三季开始，NAND Flash开始涨价，原厂营收季增长达19.6%。