【本周重磅】SK海力士8英寸新厂落户无锡；三星量产第五代3D NAND闪存...

SK海力士8英寸新厂落户无锡

近日，有不少韩国媒体报道称，韩国第二大存储器制造厂商SK海力士在周二宣布，将在中国无锡建立一家合资企业，并建设一条新的8英寸（200毫米）晶圆模拟生产线。

新厂预计今年下半年启动建设，2019年下半年完工、2020年正式启用生产。SK海力士的一名官员表示，目前该公司正在寻求减轻对DRAM和NAND闪存产品的依赖性，并促进新的增长点。而无锡新厂则专注于晶圆代工业务，将主要生产传感器、电源管理用芯片等类比IC。

资料显示，SK海力士无锡新厂名为“海辰半导体（无锡）有限公司”，由SK海力士去年7月份独立的晶圆代工子公司SK海力士系统IC公司和无锡产业发展集团有限公司共同投资成立。其中SK海力士系统IC公司负责新厂的兴建与设备投资，无锡产业发展集团则负责提供其他必要的基础设施。

据报道，SK海力士2017年的晶圆代工业务营收为2.6亿美元、全球市占率仅0.4%。不过为了强化这方面的竞争力，SK海力士不惜剥离晶圆代工业务。只是需要注意的是，在该领域，前有台积电、格芯、联电等厂商分食市场，后有中芯国际等厂商的奋力追赶，SK海力士能否达到提升盈利的目标，还有待后续观察。

三星量产第五代3D NAND闪存

7月10日，存储器大厂三星宣布，正式量产第五代3D NAND闪存颗粒，堆叠层达到96层，这也是目前堆叠层数最高的闪存产品。该闪存内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元，每单元可保存3比特数据，单Die容量为256Gb。尽管256Gb的核心容量并不算高，但在其他性能指标方面，该产品却可圈可点。

据悉，三星第五代3D NAND闪存首发Toggle DDR 4.0传输介面，传输速率从上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps，较过去64层堆叠的3D NAND闪存而言，足足提升了40%。

在性能和功耗方面，该快闪存储器的电压从1.8V降至1.2V，写入速度也是目前最快的，仅500us，比上一代3D NAND快闪存储器提升了30%，读取速率的回应时间也缩短到 50us。

除了传输界面和性能功耗的升级，三星第五代3D NAND闪存在制程技术上的优化也值得一提，制造生产效率提升了30%，先进的工艺使得每个闪存单元的高度降低了20%，减少了单位之间的窜扰，提高了数据处理的效率。

目前，三星正在加强第5代3D NAND闪存量产，以便满足高密度储存领域，包括高效能运算、企业服务器及移动设备市场的需求。

英特尔或剥离半导体晶圆厂

近年来，英特尔10纳米制程被竞争对手台积电、三星超越，而10纳米制程节点的延迟也一直困扰着英特尔。不过，未来英特尔的业务或将出现重大改变。近日，有国外媒体报道称，英特尔准备晶圆代工业务切分，而时间点就落在2020年到2021年之间。

报道指出，待英特尔分拆晶圆代工业务之后，其业务模式会效仿IBM的做法，即将晶圆代工拆分后出售。2014年，IBM公司将旗下的晶圆代工业务出售给了格芯（GLOBALFOUNDRIES）。

从技术制程而言，当前英特尔可谓是远远落后于台积电、三星、格芯。其中台积电和三星目前都在进行5纳米制程技术的研发，预计都将在2020年进入量产，且台积电的3纳米制程也已经投入了相关的研发资源，预计2022年可以进入试产阶段。而格芯的7纳米制程也预计将在2019年量产。

值得注意的是，即使是台积电（2017年营收320亿美元）这样的代工巨头，要想拿下年营收600亿美元的半导体厂商英特尔旗下的晶圆代工业务，也并非易事，因此有不少业内人士认为，英特尔最有可能的做法是，将芯片设计及销售与晶圆代工业务分拆成两大部分，而不会将其出售。

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