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SK海力士成功开发出基于321层NAND闪存的解决方案产品UFS 4.1

2025年5月22日,SK海力士宣布,公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的移动端解决方案产品...

SK海力士 NAND Flash 闪存

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“六边形战士”报到,中国科研团队研制出超高速闪存

复旦团队通过构建准二维泊松模型在理论上,预测了超注入现象,打破了现有存储速度的理论极限研制“破晓(PoX)”皮秒闪存器件

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JEDEC带来增强型NAND闪存接口标准

JEDEC固态存储协会宣布,推出JESD230G:NAND闪存接口互操作性标准。其引入了4800 MT/s的速率,相比于2011年发布的第一版....

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NAND闪存翻盘利器:QLC SSD?

在AI+大数据时代浪潮下,存储领域爆发新的市场需求,其中在AI训练过程中发挥关键作用的QLC NAND SSD风头正盛,这意味着NAND闪存或将...

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铠侠北上市新NAND闪存工厂大楼竣工

8月1日,存储芯片厂商铠侠(Kioxia)宣布,其位于日本岩手县北上市工厂Fab 2(K2)已于7月完工....

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闪存大厂财报公布

7月31日,西部数据(Western Digital)公布最新财报,上季营收、获利均超出市场预期....

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西数+FADU,两大存储厂商合力开发企业级SSD技术

近日,韩国SSD主控厂商FADU宣布,与美国西部数据建立合作伙伴关系,双方将合作开发下一代企业级SSD技术“FDP(Flexible....

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制造400层3D NAND,存储大厂将引入低温蚀刻技术

据日本媒体报道,存储器大厂铠侠近日宣布,将从其第10代NAND产品开始,在制程中引入低温蚀刻这一前沿技术,以进一步提升生....

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SK海力士发布2024财年第一季度财务报告

2024年4月25日,SK海力士发布截至2024年3月31日的2024财年第一季度财务报告。公司2024财年第一季度结合并收入为12.4296....

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