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【专题报导】【一周热点】Q1全球前十大晶圆代工营收排名出炉;三星宣布推出1Z纳米制程DRAM;国内又一碳化硅项目将实现投产

来源:全球半导体观察    原作者:Flora    

全球前十大晶圆代工营收排名

拓墣产业研究院在最新报告中指出,预估第一季全球晶圆代工总产值将较2018年同期衰退约16%,达146.2亿美元。其中市占率排名前三的分别为台积电、三星与格芯。尽管台积电市占率达48.1%,但第一季营收年成长率衰退近18%。

2019年第一季晶圆代工业者排名与去年相比变化不大,仅力晶因12英寸代工需求下滑而面临被高塔半导体反超的风险。

观察前十大晶圆代工业者第一季的表现,包括台积电(TSMC)、三星(Samsung LSI)、格芯 (GLOBALFOUNDRIES)、联电(UMC)、中芯(SMIC)、力晶(Powerchip)等业者,因12英寸晶圆代工市场需求疲软,第一季营收表现较去年同期下滑幅度均来到两位数。

反观以8英寸晶圆代工为主要业务的高塔半导体(TowerJazz)、世界先进(Vanguard)、华虹半导体(Hua Hong)、东部高科(Dongbu HiTek)等业者,尽管8英寸晶圆代工产能供不应求的现象已渐舒缓,年成长率表现仍不如去年同期亮眼。但相较于以12英寸为主力的晶圆代工厂第一季两位数的衰退幅度,可以说其在半导体市场相对不景气的第一季中稳住阵脚。

国内又一碳化硅项目将实现投产

近日,媒体报道,位于山东青岛莱西经济开发区的中科钢研碳化硅项目正在加紧建设,今年将实现投产。

据悉,该项目总投资10亿元,占地约80亩,建筑面积5万平方米,主要生产高品质、大规格碳化硅晶体衬底片。项目达产后,将实现年产5万片4英寸碳化硅晶体衬底片与5000片4英寸高纯度半绝缘型碳化硅晶体衬底片。

中科钢研表示,未来将把国家级先进晶体研究院设在莱西,专注碳化硅研发生产,力争在三年内接近欧美最高水平。

目前全球碳化硅市场基本被国外企业所垄断。国内市场,已初步形成了涵盖各环节的碳化硅产业链,在政策利好以及市场驱动下,国内企业在这一环节正努力跟跑与赶超。

Q2 NAND Flash市场展望

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出,受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击,2019年第一季各类NAND Flash产品合约价综合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。

展望第二季,DRAMeXchange分析师叶茂盛表示,历经第一季的需求低谷之后,智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。

另一方面,NAND Flash供应商纷纷透过抑制资本支出、减缓新制程产出比重,甚至透过减产压抑产出,虽无法立即扭转供过于求的态势,但对于市场环境确实有正面的帮助。

综上所述,第二季eMMC/UFS、SSD、Wafer等产品合约价仍将继续下跌,但跌幅相较第一季则是有所收敛,落在10~15%的水位。

闻泰科技收购安世半导体新进展

闻泰科技收购安世半导体迎来重大进展,3月21日,闻泰科技发布一系列公告,确定了发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书(草案),草案的公告意味着整个交易方案已经尘埃落定,走完股东大会审批流程后即可上报证监会。

闻泰科技的主要客户为国际知名电子品牌厂商,其产品包括智能手机、IoT、笔记本电脑等,安世半导体所生产的电子产品核心元器件虽然广泛应用于上述消费电子及计算机产品当中,但是40%客户和市场在欧美,40%以上的营收来自于汽车功率半导体。

熟悉全球市场的闻泰科技可将安世半导体的产品大量引入到全球知名的手机、平板电脑、笔记本电脑、智能硬件等品牌客户当中,帮助安世在消费电子、IoT、笔记本电脑市场领域扩大市场份额。双方的合作将为未来双方的发展发挥出“1+1>2”的协同效应。

如果顺利通过证监会审批,在5G正式商用的前一年完成这笔中国最大的半导体收购案,双方都迎来难得的发展良机。

厦门鑫天虹项目正式投产

日前,厦门火炬高新区的半导体设备项目鑫天虹公司正式投产。

2018年11月,鑫天虹项目正式落户厦门火炬高新区。据悉,该项目计划总投资2亿美元,落户后项目在短短三个月时间内完成了万级、千级无尘车间的建设,预计这个月底将可交付第一台半导体,随着产能逐步提升,预计投产后第五年营收可达3.8亿元。

厦门作为中国集成电路主要新兴城市之一,现已聚集了联芯、士兰微、星宸、美日光罩等一系列企业,逐渐形成集成电路产业链。报道称,鑫天虹是厦门首家半导体设备企业,该项目投产将弥补设备环节的缺失,进一步完善厦门集成电路产业链条。

近年来,国内正在大力发展集成电路产业,但最“卡脖子”的环节其实是材料设备业,国内大多制造设备仍依赖进口,不少地方政府亦正在努力补足这一环节,如无锡等城市亦大力推动设备业发展。

三星宣布推出1Z纳米制程DRAM

全球DRAM龙头三星21日宣布,首次业界开发第3代10纳米等级(1Z纳米制程)8GB高性能DRAM。这也是三星发展1Y纳米制程DRAM之后,经历16个月,再开发出更先进制程的DRAM产品。

三星表示,1Z纳米制程8GBDDR4DRAM的正式大量生产时间将落在2019下半年,以应对下一代企业服务器需求,并有望能在2020年支援新高阶个人计算机。

随着1Z纳米制程产品问世,并成为业界最小的存储器生产节点,目前三星已准备好用新的1Z纳米制程DDR4DRAM满足日益成长的市场需求,生产效率比以前1Y纳米等版DDR4DRAMUL4高20%以上。

三星表示,1Z纳米制程8GBDDR4DRAM的正式大量生产时间将落在2019下半年,以应对下一代企业服务器需求,并有望能在2020年支援新高阶个人计算机。

除了提供市场需求,三星还指出,跨入1Z纳米制程的DRAM生产,将为全球IT加快朝向下一代DRAM界面,包括DDR5、LPDDR5和GDDR6等预做准备。

图片声明:封面图片来源于正版图片库,拍信网。

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