注册

【一周热点】国博电子冲刺科创板;深圳哈勃注册资本增至45亿;2座晶圆厂开工...

来源:全球半导体观察       

国博电子正式冲刺科创板

继唯捷创芯、好达电子等企业之后,科创板即将再次迎来一家射频芯片企业。上交所网站信息显示,国博电子科创板申请于9月24日获上交所受理。

资料显示,国博电子成立于2000年11月,注册资本3.6亿元,主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售,主要产品包括有源相控阵T/R组件、砷化镓基站射频集成电路等,主要应用于相控阵雷达等军用领域以及通信基站等民用领域。

招股说明书显示,国博电子的控股股东为国基南方,持股比例为39.81%,而实际控制人为中国电子,后者由国务院国资委100%持股。中国电科通过三家国有股东国基南方(39.81%)、中国电科五十五所(18.49%)和中电科投资(3.32%)间接控制国博电子61.62%的股份。

据披露,国博电子此次拟募集资金26.75亿元,扣除发行费用后将全部用于公司主营业务相关的项目射频芯片和组件产业化项目,项目总投资额14.75亿元。国博电子将在已有的射频芯片、微波毫米波T/R组件和射频模块产品的基础上,进一步升级研发射频芯片、模块和T/R组件领域相关技术。

深圳哈勃注册资本增至45亿

天眼查信息显示,深圳哈勃工商信息于9月23日发生变更,其注册资本由此前的20亿元变更为45亿元,增幅高达125%。其中华为技术有限公司对其的出资额由13.8亿元增至31.05亿元,华为终端(深圳)有限公司对其的出资额由6亿元增至13.5亿元,而哈勃科技投资有限公司对其的出资额由2000万元增至4500万元。

△Source:天眼查截图

增资完成后,三家股东对深圳哈勃的持股比例不变,依然分别为60%、39%、以及1%。

自今年4月成立以来,深圳哈勃对外投资的企业数量超10家,其中大多数为集成电路产业链企业,包括强一半导体、徐州博康、天域半导体、深迪半导体、知存科技、天仁微纳等,平均每个月新增对外投资企业2家。

此外,9月29日,深圳哈勃再次投资了一家半导体企业——物奇微电子。天眼查信息显示,物奇微电子的工商信息于9月29日发生变更,注册资本从4676.2564万元变更为5082.8874万元,同时新增股东深圳哈勃和董事何刚。增资完成后,深圳哈勃为物奇微电子第四大股东,持股8%。

英特尔2座晶圆厂开工

9月24日,英特尔宣布,位于美国亚利桑那州钱德勒的两家芯片工厂动土奠基,这些工厂将采用英特尔最先进芯片生产工艺。

据官网介绍,两座新工厂名为Fab52及Fab62,造价达200亿美元。待新厂完工后,英特尔建在亚利桑那州钱德勒园区内的晶圆厂总数将达6家。

英特尔表示,自40年前在亚利桑那州开始制造芯片以来,英特尔在该州的总投资超过500多亿美元。

英特尔称,两座新工厂在2024年全面投入运营后,新工厂将支持英特尔内部产品的生产,并为外部客户提供服务。英特尔一直以来都在制造自己的芯片,而此次公司开始转型为外部公司生产芯片。

GaN功率厂商出货量市占率排名

根据TrendForce集邦咨询研究显示,受惠于消费性快充产品需求快速上升,如手机品牌小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充电头,凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐,截至目前笔电厂商也有意跟进,使GaN功率市场成为第三代半导体产业中产值上升最快速的类别,预估2021年营收将达8,300万美元,年增率高达73%。

厂商方面,纳微半导体(Navitas)将以29%的出货量市占率超越Power Integrations(PI),拿下今年全球GaN功率市场第一名;老牌电源芯片厂商Power Integrations(PI)预估将以24%市占率位居全球第二;值得一提的是,中国厂商英诺赛科(Innoscience)今年市占一举攀升至20%,跃升为全球第三,主要受惠于其高、低压GaN产品出货量大幅增长,其中,快充产品更首次进入一线笔电厂商供应链。与此同时,苏州8英寸晶圆厂已步入量产阶段,IDM模式优势将在GaN产业高速发展中逐步显现。

根据TrendForce集邦咨询调查,2020年中国约有25笔第三代半导体投资扩产项目(不含GaN光电),总投资额超700亿元,年增180%。截至2021年上半年,中国已有约7条硅基氮化镓晶圆制造产线,另有至少4条GaN功率产线正在建设中;而SiC晶圆制造方面(包括中试线)至少已有14条6英寸的产线。

柘中股份8.2亿控股中晶半导体

9月27日,柘中股份发布公告称,拟向中晶半导体进行增资。柘中股份此次拟出资8.16亿元,认购中晶半导体8亿元新增注册资本,即中晶半导体每1元注册资本对价为1.02元。

资料显示,柘中股份的主要业务为成套开关设备的生产和销售及投资业务,产品被应用于各类工业和民用建筑、轨道交通、机场、国家电网、数据中心等项目。本次增资完成后,柘中股份将合计持有中晶半导体58.69%的表决权,成为该公司第一大股东,取得控制权,中晶半导体将纳入柘中股份合并报表范围。

据了解,中晶半导体主要研发、生产和销售300mm半导体硅片,适用于DRAM、NAND Flash存储芯片、中低端处理器芯片、影像处理器、数字电视机顶盒等12英寸芯片生产,以及手机基带、WiFi、GPS、蓝牙、NFC、ZigBee、NOR Flash芯片、MCU等12英寸芯片生产。

目前,中晶半导体正在嘉兴投建300mm半导体大硅片项目。该项目于2019年初开工,目前已完成全部基础设施建设,处于设备安装和调试阶段,预计今年年底自动化产线完全打通。

通富微电募资55亿元

9月27日晚间,封测厂商通富微电抛出55亿元定增预案。根据公告,公司拟定增募资不超过55亿元,用于存储器芯片封装测试生产线建设项目、高性能计算产品封装测试产业化项目、5G等新一代通信用产品封装测试项目、圆片级封装类产品扩产项目、功率器件封装测试扩产项目、补充流动资金及偿还银行贷款。

△Source:通富微电公告截图

其中,存储器芯片封装测试生产线建设项目建成后,年新增存储器芯片封装测试生产能力1.44亿颗;高性能计算产品封装测试产业化项目建成后,年新增封装测试高性能产品3.22亿块的生产能力;5G等新一代通信用产品封装测试项目建成后,年新增5G等新一代通信用产品24.12亿块的生产能力;圆片级封装类产品扩产项目建成后,年新增集成电路封装产能78万片;功率器件封装测试扩产项目建成后,年新增功率器件封装测试产能14.50亿块的生产能力。

从公告披露的数据来看,上述定增项目全部建成达产后,通富微电预计每年将新增销售收入37.59亿元,新增税后利润4.45亿元。

封面图片来源:拍信网