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内存相关资讯

集邦咨询:第一季DRAM合约价大幅下修,创8年以来最大跌幅

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,由于供过于求的市况,DRAM产业大部分交易已经改为月结价(Monthly Deals),2月份更罕见出现价格大幅下修...

DRAM 内存

市场观察

南亚科启动10纳米世代技术

看好DRAM长期成长动能,南亚科在下世代制程技术发展上,已取得美光的1x/1y纳米制程技术授权的选择权,同时自主研发的10纳米世代制程技术均符合预期进度。

DRAM 南亚科 内存

存储器

南亚科今年资本支出续降

南亚科技看今年上半年DRAM市场保守,今年资本支出预估降至106亿元(新台币,下同),仅约为去年204亿元一半;今年资本支出保守,位元成长率将低于市场均值,全年位元销量成长率估约15%。

DRAM 南亚科 内存

存储器

英特尔eMRAM已准备好量产 基于FinFET工艺

英特尔嵌入式MRAM技术可在200摄氏度下实现长达10 年的记忆期,并可在超过100万个开关周期内实现持久性。 MRAM省电的特性,意味着英特尔嵌入式MRAM将很有可能先用于移动设备上。

内存 英特尔

存储器

LPDDR5内存标准正式发布:速度翻番至6400Mbps、功耗降低

2月20日,JEDEC(固态存储协会)正式发布了JESD209-5,即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗内存标准。如果匹配高端智能机常见的64bit bus,每秒可以传送51.2GB数据;要是PC的128bit BUS,每秒破100GB无压力。

内存 DDR

存储器

内存市场遭遇寒流 人工智能有望带来暖意

近期,存储器市场景气消散,先后传出全球几大存储厂家减少产能的消息,市场需求持续走低。在暂时尚未找到新突破口的情况下,几大存储厂商纷纷采取保守措施,降低资本支出,以图解决供需失衡。

内存 人工智能

存储器

旺宏Q1展望偏保守 华邦电影响不大

华邦电自行研发制程的存储器厂,目标每两年更新一代制程,专注于中低容量市场,DRAM与 Flash各占业绩50%,利基型市场为主,对客户维持相对平稳的报价,与SOC系统单晶片大厂建立良好的伙伴关系

旺宏 华邦电子 内存

存储器

南亚科1月营收创19个月新低

南亚科预期,第3季随着时序步入传统旺季,加上处理器缺货情况可望减缓,产品跌价趋势有机会减缓。因应市况转趋保守,南亚科今年资本支出可能骤降至新台币100亿元左右,将较去年大幅减少5成。

DRAM 南亚科 内存

存储器

黄崇仁喊话 改名力积电重返上市

力晶科技转型晶圆代工有成,去年获利逾新台币100亿元,连续6年每年达到获利百亿元目标,力晶集团执行长黄崇仁透露,集团计划由改名后的力积电申请登兴柜,预估2021年重返上市。

力晶 晶圆代工 内存

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