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【存储器】 南亚科启动10纳米世代技术

来源:台湾中时电子报       

今年以来DRAM价格持续下跌,DRAM厂南亚科今年获利表现恐不如去年好。为了维持稳定获利,南亚科将朝向优化产品组合方向调整,提高DDR4及LPDDR4X等毛利率较好的产品比重。此外,南亚科已取得美光的1x/1y纳米制程技术授权选择权,并启动自主研发的10纳米世代制程研发。

第一季DRAM合约价看跌,集邦科技指出,南亚科去年第四季受到标准型DRAM市况不佳影响,位元出货下跌超过20%,营收表现较前一季大幅衰退30.8%,且因为毛利较佳的DDR4产品出货比重低,加上整体产业报价向下,营业利益率持续下滑。在厂房设备折旧摊提费用提升,以及20纳米所带来的成本效益愈来愈小的情况下,今年获利能力恐将持续萎缩。

为因应市况变化,南亚科今年重点将持续优化产品组合,提高产品附加价值及解决方案予客户,包括推广DDR4产品线至消费型及资料中心服务器市场,推出LPDDR4X等行动式DRAM强攻智能型手机、智能穿载、低功能笔电、高速固态硬盘(SSD)等市场。

南亚科总经理李培瑛表示,南亚科长期专注在存储器产品的研发与制造,而DRAM正是现今社会迈向智慧时代的关键元件。DRAM产品多元化的应用,举凡智能城市、智能家庭、智能办公室、无人车、物联网、云端及人工智能等,都缺少不了DRAM这关键性零组件。

看好DRAM长期成长动能,南亚科在下世代制程技术发展上,已取得美光的1x/1y纳米制程技术授权的选择权,同时自主研发的10纳米世代制程技术均符合预期进度。李培瑛表示,南亚科2019年持续强化先进制程开发、产品多元化应用、及下世代存储器产品设计,亦会扩大办理超过100人以上的研发人才招募。

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