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DRAM相关资讯

南亚科1月营收创19个月新低

南亚科预期,第3季随着时序步入传统旺季,加上处理器缺货情况可望减缓,产品跌价趋势有机会减缓。因应市况转趋保守,南亚科今年资本支出可能骤降至新台币100亿元左右,将较去年大幅减少5成。

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华邦电举行发说会 透露出哪些重要信息?

华邦电在 NOR Flash 部分,因为具备第一大供应商的地位,跌价压力较小的情况下,持续追求高阶应用。另外,在 DRAM 部分,华邦电也已经推出了 2GB/4GB DDR3 与 2GB LPDDR4 产品。

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不走传统路线 台厂开发新架构DRAM

钰创科技董事长暨执行长卢超群表示,RPC DRAM只使用到一半数量的接脚,既能达到小型化,又能降低成本。他将RPC DRAM定位为小型化穿戴式装置和终端AI子系统的理想选择。

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因应供过于求,SK 海力士2019年资本支出大砍4成

SK 海力士在财务会议上表示,为了因应全球经济全球不确定因素的资加,以及在半导体景气面临周期低潮时,整体产业将遇到的不景气现象,因此将降低 2019 年整体资本支出达到 40%。

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存储器价格跌不停,SK 海力士去年Q4营益跌3成

SK 海力士表示,去年上半情况有利,但是下半年需求走缓、供给短缺也获得解决,存储器市况迅速改变。有鉴于此,去年第四季,DRAM 位元出货量季减 2%、平均售价季减 11%,主因总体经济环境不确定性提高

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今年华为有望成全球第二大手机厂商;中微半导体进行IPO辅导备案;今年首季DRAM合约价跌幅近20%

全球市场研究机构集邦咨询最新报告指出,2019年智能手机市场受到全球经济波动影响,不确定因素增加。加上换机周期延长、创新程度降低等冲击导致市场需求迟滞。预估2019年智能手机生产总量将落在14.1亿支,较2018年衰退3.3%。若全球需求进一步恶化,不排除衰退幅度将扩大至5%。

DRAM 智能手机 集成电路

一周热点

南亚科看淡 2019 年 下修资本支出 50%

继 2018 年南亚科在相关的资本支出较原先预估的下调 15% 之后,预计 2019 年整体的资本支出还将会再下调 50%,也就是相较 2018 年约新台币 204 亿元的资本支出,2019 年的资本支出将会降到百亿元上下。

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集邦咨询:2019年第一季DRAM合约价跌幅扩大至近20%

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,2018年12月正值欧美年节时期,DRAM成交量清淡,因此不列入合约价计算...

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市场观察

南亚科本周法说会 聚焦两大重点

南亚科去年第 4 季起,开始延缓产能扩充与资本支出,去年全年资本支出也由原先的近 240 亿元、下调至 210 亿元,调幅逾 1 成,预期在市况未有太大变化之下,加上三星半导体、SK 海力士与美光均同步下修今年资本支出,南亚科今年资本支出可望比去年更保守。

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