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集邦预估成本结构不佳DRAM厂须跟进减产,才有机会渡过产业史上最严峻的寒冬;NAND Flash供给成长放缓将有助4Q价格止稳

继力晶与尔必达(Elpida)相继宣布减产后,韩系大厂海力士(Hynix)亦于9月18日 宣布减产自家20%的DRAM产能。集邦(DRAMeXchan...

市场观察

DRAM:减产议题发酵现货价格攀升约6%,供需问题仍待市场机制解决;NAND Flash:Apple推出新型高容量iPod nano以提振买气

力晶自九月八日正式宣布将于第四季减少DRAM产出约10%-15%后,尔必达亦在九日宣布减产10%的DRAM产出(日本广岛工厂),以目前力晶和尔必达的D...

市场观察

力晶第四季减产10%-15%,呼吁DRAM厂商减产以求复苏;DRAM产业50nm之挑战—Part II;从SATA 6Gb/s和USB 3.0规格的制订看未来NAND储存装置的发展; NB第四季出货乐观看待,但仍有潜在压力

力晶于9月8日傍晚正式宣布将于第四季减产DRAM总产能约10%-15%,就力晶整体产能来分析,目前力晶产能约130K(P1+P2+P3),含给尔必达的...

市场观察

上周DRAM现货价格创历史新低价,九月上旬合约价将再续跌;NAND Flash 价格疲软,市场充满对SSD未来广泛应用的期待

中国自8/24奥运结束后,现货市场需求未见明显回升,在期待落空下,模块厂转而以低价策略在中国市场销售DRAM模块,DDR2 1Gb eTT跌破自去年1...

市场观察

库存水位太高将使DRAM价格重返年初价格低点;市场等待NAND Flash传统旺季的回春效应

DRAM厂在去年第二季开始进入亏损,虽然今年DRAM资本支出大减高达40% YoY, DRAM厂扩厂及产能增加也大幅下降。但在三星及尔必达仍高度积极增...

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旺季不旺,DRAM现货市场表现清淡,八月下旬合约市场下探机率高;2009年低价计算机搭载SSD的出货和NAND Flash搭载容量预期皆将成长一倍;内存规格演进,NB有机会快于DT

上周现货市场自八月七日DDR2 eTT跌破1.8美元的信心关卡后,价格呈现疲弱走势,未见任何的反弹力道,集邦科技统计8/12-8/18的现货价格,eT...

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台湾DRAM封测产业之分析;NAND Flash:观望气氛中买气及价格俱显疲软,期待传统旺季来临

随着DRAM产业自2007年的位成长率高达94%,市场供过于求的情形超乎预期导致价格严重下滑,DDR2 512Mb与 1Gb价格分别下滑了86%与70...

市场观察

DRAM:现货市场出现短期反弹,然需求依旧不振;NAND Flash 品牌厂商2Q08营收排行; PC:内存需求的提振及世代交替,仍需时间

现货市场近期交投冷清,价格自七月初下滑之后呈现盘整的疲软走势,就七月而言,需求疲弱,供给充裕。至七月底,现货市场方感受到供给略有趋缓。上周下半,现货价...

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DRAM现货市场交投表现清淡,供需平衡仍是价格反弹的首要条件;NAND Flash市场静待北京奥运后的旺季需求回暖

上周现货市场依然延续平稳的价格走势,价格表现疲软且交投相当低迷,DRAM价格依然呈现小幅涨跌互见的走势,DRAMeXchange统计7/22-7/28...

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