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现货市场方面,2005年10月18日到10月25日,DXI指数从2967下降32点,到2935,降幅达1%。上周由于需求不振,DRAM现货市场价格仍属于缓跌走势,但是由于DRAM厂产能集中于DDR2 512Mb,使得DDR 256Mb走势相对平稳。主流颗粒DDR 256Mb(32Mbx8)400MHz的价格维持在从2.51美元,256Mb eTT颗粒从2.13美元反弹至2.15美元。但是DDR 512Mb(64Mbx8)400MHZ从5.38美元降到5.27美元,而DDR2 512Mb(64Mbx8)533MHZ也从4.93美元下跌到4.73美元。
而上周五所开出的10月下旬合约价全面走跌,主要因为DDR2合约价格跌幅较大,并且进一步拖累DDR合约价格的表现。下列将分别探讨256MB及512MB合约价格。
1.DDR 256MB UDIMM(桌上型计算机用) 和 DDR 256MB SODIMM(NB用)下降4%左右,平均价格在$21.1元,两者并无价差。
2.DDR2 512MB价格低于DDR 512MB价格情况仍未改善,价差有扩大趋势,在DDR和DDR2 512MB UDIMM价差由上周3.5%扩大至6%。此外,由于DDR2 512Mb 64Mbx8芯片产出增加及生产成本下降,一条DDR2 512MB价格已小于两条DDR 256MB价格了。
3.而DDR和DDR2 512MB SODIMM之间价差由上周5%扩大至9%,使得DDR 512MB SODIMM价格较DDR2 512MB SODIMM高出4元。
分析10月下旬合约价格走跌的原因主要仍来自于DDR2需求不振,进而拖累整体DRAM价格。尽管PC市场9月、10月的出货量随旺季来临而持续攀高。但是整体DRAM市场仍出现供过于求的状况。
在供给面,估计10月份整体DRAM bit growth(256Mb equiv.)达5-7%,主要贡献来自于12吋厂的产能持续开出效应。此外、韩国、日本、德国等DRAM大厂在9月、10月的DDR2产出比重将近50%,使得10月份DDR2占整体产出比例偏高。在需求方面,返校需求以及中国长假效应也未如预期强劲,况且在PC出货量上半年基期已高,而下半年油价持续维持高档下,确实影响下半年的整体需求。尤其是在DDR2部分受Intel缺货影响,使得PC OEM厂放慢转换进度,现阶段DRAM厂的DDR2库存高达6周左右,高于一般3周左右的库存水平。
虽然DDR2 512Mb 价格持续下跌使得与DDR 512 Mb的价差扩大,但预期DRAM厂将随市场价格而调整DDR2的产出比重。因此在市场调节机制下,预期11月以后DDR与DDR2价格差距将有缩小机会。
因应旺季来临,全球PC出货持续加温
笔记型计算机于成熟市场持续取代桌上型计算机
第三季全球PC市场出货量持续上扬,其中又以笔记型计算机(NB)成长表现较为亮眼。仍处于市场成长阶段之NB,不受经济与天然灾害影响,佐以品牌大厂低价竞争,美国、西欧、日本等成熟市场,出货量持续冲高,第三季全球NB市场规模较去年同期成长38.3%,较上季成长12.7%,达15.6百万台。
桌上型计算机主机板部份(MB),第三季亦反应旺季需求,各区出货量普遍维持成长;然主要区域市场中,美国表现相对弱势。美国市场因受天灾影响、利率升值、影响消费信心,使得处于成熟市场的MB需求欲振乏力,造成品牌大厂如Dell、HP等在美国地区出货呈现旺季不旺。
反观通路市场,则因新兴市场需求不断上扬,促使通路市场主机板出货量大幅成长。整体而言,第三季全球MB市场规模达35.6百万片,较去年同期成长12.7%,较上季成长15.3%,成长率则低于以往动则20%以上之历史水平。
第四季需求持续看涨,但仍有缺货之潜在不利影响因素
第三季返校需求已过,接着为了因应第四季圣诞旺季,品牌大厂莫不极积提高库存水位,将平常两周安全库存纷纷增加至四周,以期能够在感恩节与圣诞节销售无虞,所以无论是NB或MB现阶段十月或至十一月的出货较上季持续攀升。虽然品牌厂商看好旺季市场需求持续推升出货量,但无论是NB或MB皆存在零组件缺货问题,进一步可能影响厂商出货达标率。
NB方面,缺料项目中以HDD最为吃紧,现阶段仍处于供不应求,依各家采购谈判力差异,缺口约在10%至20%不等,整体供货预计至十二月才能满足,有错失十一月出货高峰之疑虑。
MB部份,芯片组供货持续吃紧,而PCB交期也渐由四周拉长至六周甚至更长。第三季由于MB通路市场需求畅旺,且预期第四季低阶芯片组仍供不应求,以硅统(SiS)为例,低阶661系列产品供货吃紧现象预计至十二月才能舒缓,因此MB厂商目前莫不积极追加第四季备料,以避免错失旺季销售。
整体而言,考虑零组件缺货因素,第四季全球NB出货量较上季比,预估成长率为13%,MB则成长9%。