英特尔披露18A-P试产及多项前沿芯片技术进展

当地时间6月16日，2026年VLSI超大规模集成电路国际研讨会召开，英特尔代工部门现场披露Intel 18A-P工艺最新落地状态，同时公布三类面向长期芯片微缩的前沿研发成果。

英特尔代工介绍，Intel 18A-P是Intel 18A工艺系列首款性能增强迭代版本，当前已正式进入风险试产阶段。依托基础Intel 18A工艺体系，英特尔代工已完成全环绕栅极GAA RibbonFET晶体管、背面供电BSPD PowerVia两项核心技术的市场化落地，18A-P完整兼容18A原有设计规则，客户可直接复用现有IP库与设计流程。官方现场披露参数显示，对比标准18A制程，18A-P可实现同等功耗下性能提升9%，同等性能下功耗降低18%，同步优化芯片热阻、层间过孔电阻等关键指标。

除成熟先进制程落地进展外，英特尔代工在研讨会上同步公开三大前沿技术研发样品，均为支撑后续芯片持续微缩的储备方案。
其一为单片式CFET互补场效应晶体管技术，现场展出垂直堆叠结构CFET反相器，器件采用上层PMOS、下层NMOS垂直排布设计，栅极间距达到45nm，该垂直架构为GAA晶体管之后逻辑芯片进一步缩小尺寸提供可行路径，相关测试数据同步收录于本次VLSI官方技术论文。

其二是300mm晶圆氮化镓与硅基逻辑单片集成工艺。英特尔完成同片晶圆异质集成验证，在单块300mm硅基底上同步制备氮化镓功率器件，以及包含约1000个逻辑门的硅基数字控制模块。官方资料写明，该方案可让高效率功率器件与大规模数字控制单元依托同一套制造工艺实现，减少分立芯片搭配带来的多层封装、外部布线损耗，直接降低电源类芯片整体系统设计复杂度。

其三为集成空气间隙的减成法钌互连技术。对比行业通用铜互连方案，该钌金属互连搭配气隙隔离结构，可将线路寄生电容最高降低35%，芯片运行工作频率实现明显提升，能够缓解先进制程线宽持续缩小带来的RC延迟瓶颈。