EN CN TW
注册

【半导体/IC】英特尔10nm工艺揭秘:2.7倍晶体管密度,首次使用贵金属钌

来源:超能网       

英特尔现在的主力工艺依然是14nm,目前已经发展了三代14nm工艺,将会一直用到2019年底,之后才会升级10nm工艺。不过10nm处理器最近已经上市了,联想Ideapad 330就使用了10nm Cannonlake架构的Core i3-8121处理器,通过分析英特尔的10nm工艺晶体管密度达到了100MTr/mm2,是14nm节点的2.7倍,而且英特尔首次使用了贵金属钌。

Techinsights日前就以联想Ideapad 330中的Core i3-8121处理器为例分析了英特尔的10nm工艺,详细报告还没有发布,他们只公布了部分数据,英特尔的10nm工艺主要创新如下:

· 逻辑晶体管密度达到了100.8MTr/mm2,也就是每平方毫米1亿个晶体管,晶体管密度是14nm工艺的2.7倍多。

·

英特尔之前公布的自家14nm工艺特点

· 10nm FinFET使用的是第三代FinFET晶体管工艺技术;

· 10nm工艺的最小栅极距(gate pitch)从之前的70nm缩小到了54nm;

· 10nm工艺的最小金属间距(metal pitch)从之前的52nm缩小到了36nm。

英特尔10nm工艺亮点:

· 与现有10nm及即将问世的7nm工艺相比,英特尔10nm工艺具有最好的间距缩小指标

· 在后端制程BEOL中首次联合使用金属铜及钌,后者是一种贵金属

· 在contact及BEOL端使用了自对齐曝光方案(self-aligned patterning scheme)

设计亮点:

· 通过6.2-Track高密度库实现了超级缩放(Hyperscaling )

· Cell级别的COAG(Contact on active gate)技术

关于英特尔的10nm工艺优势,之前我们也介绍过,而且英特尔CEO科赞奇也解释过他们的10nm工艺为什么难产的问题,一大原因就是他们的10nm工艺指标定的太高了,10nm工艺100MTr/mm2的晶体管密度实际上跟台积电、三星的7nm工艺差不多,性能指标是很好的,但遇到了良率这样的问题,所以量产时间上要比其他两家落后两年多。

如需获取更多资讯,请关注全球半导体观察官网(www.dramx.com)或搜索微信公众账号(全球半导体观察)。