英特尔10纳米制程赢过竞争对手 但良率问题使量产每每延后

虽然，目前处理器大厂英特尔（intel）的主力制程为14纳米。不过，日前公布以10纳米制程，Cannonlake架构生产的Core i3-8121处理器目前已经上市，而且还搭载在联想Ideapad 330的笔记型电脑上。因此，既然有了产品，就有媒体开始以此来研究英特尔10纳米制程的状况。根据目前实测的结果了解，英特尔的10纳米制程中，电晶体密度达到了100MTr/mm2，是14纳米制程的2.7倍。而且，在处理器中，英特尔首次使用了贵金属钌，增加起导电特性。

根据外国科技媒体《Techinsights》在日前以联想Ideapad 330中的Core i3-8121处理器进行的测试分析，虽然详细报告还没有发布，但是就是先公布的几项数据来看，英特尔的10纳米制程，逻辑电晶体密度达到了100.8MTr/mm2，也就是每平方毫米1亿个电晶体，电晶体密度是14纳米制程的2.7倍多的水准。

另外，10纳米FinFET制程使用的是第3代FinFET电晶体制程技术，其最小栅极距（gate pitch）从之前的70纳米，缩小到了54纳米。而最小金属间距（metal pitch）也从之前的52纳米，缩小到了36纳米。以这样的技术层级下，与现有10纳米制程，以及即将问世的7纳米制程相比，英特尔10纳米制程具有最好的间距缩小技术。另外，因为英特尔的10纳米制程在后端制程的BEOL中，首次联合使用金属铜及贵金属钌，使得其导电性能提升。而且在contact及BEOL端也使用了自对齐曝光方案（self-aligned patterning scheme）。

关于英特尔的10纳米制程优势，英特尔执行长科在奇日前表示，英特尔的10纳米制程为什么难产的问题，一大原因，就是他们对10纳米制程指标定的太高了。例如10纳米制程在100MTr/mm2的电晶体密度上，实际上跟台积电、三星的7纳米制程差不多，这是较竞争对手优秀之处。但是，因为碰上了良率的问题时，队会让英特尔的10纳米制程发展屡屡难产，也让最后量产时间要比台积电与三星两家竞争对受落后两年多。

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