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【IC设计】中芯国际半年报透露14纳米技术取得重大进展

来源:全球半导体观察    原作者:iris    

近日,中芯国际发布了2018年中期业绩报告,报告显示,2018年上半年营收达17.22亿美元,同比增长11.5%。毛利为4.38亿美元,同比增长5.6%。股东应占溢利降至8097.6万美元;同比减少23.7%,每股收益为0.02美元。

报告中披露,上半年中芯国际来自中国地区客户的收入增长占不含技术授权总收入的56.3%,相比2017年同期46%,收入升幅为23.9%。报告期内,中芯国际的付运晶圆增加或许是导致数据增长的原因。

值得一提的是,在报告期内,中芯国际在14纳米FinFET技术开发上取得了重大进展。据了解,目前该技术研发已经进入客户导入生产阶段,而在28纳米工艺节点上,除了PolySiON技术和HKC技术外,28纳米HKC+技术也完成了开发,同时HKC技术持续上量且良率显著提升。

此外,中芯国际联席CEO赵海军和梁孟松曾表示,中芯处于蓄势过渡时期。“我们将继续扩展和提升我们的成熟和先进技术平台,提供客户全面有竞争力的服务。作为中国首选晶圆代工伙伴,相信公司必将受惠于中国芯片市场的成长机遇。”

业界猜测,中芯国际在14纳米FinFET打好基础后,公司指出下一步是推进第二代的FinFET工艺技术,以追求更好的PPAC(power-performance-area-cost)。

放眼全球,目前已量产FinFET架构技术的半导体大厂包括英特尔、台积电、三星、GlobalFoundries、联电等。据了解,英特尔从22纳米开始发展FinFET技术工艺,三星在14纳米工艺世代、台积电在16纳米工艺开始导入FinFET架构,联电在14纳米导入。在先进制程技术方面,中芯国际一直都在追赶台积电、三星等领先厂商。

中芯国际在今年年初宣布,将联同大基金和上海集成电路产业基金两大政府产业基金共同投资102.4亿美元,以加快14纳米及以下先进制程的研发计划,最终达到每月量产3.5万片的目标。

如果中芯国际的14纳米FinFET制程实现量产,那就意味着未来,中芯国际有望在晶圆代工市场上取得更大成果。

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