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南亚科首季毛利率创7季新高 Q2 DRAM涨幅10%以内

来源:TechNews科技新报    原作者:Atkinson    

存储器大厂南亚科26日举行法说会,公布2017年第1季自结财报。根据财报显示,2017年第1季营收为122.31亿元(新台币,下同),较2016年第4季增加1.1%。营业毛利则为49.01亿元,毛利率40.1%,也较2016年第4季增加9.1%。营业利益为38.53亿元,营业利益率达到31.5%。南亚科总经理李培瑛表示,在当前DRAM市场上供货吃紧,加上价格上涨的优势,使得南亚科2017年第1季毛利率创下7季以来新高水准。

李培瑛进一步指出,2017年第1季DRAM平均售价较2016年第4季涨价20.1%。因此,虽然南亚科在第1季的出货量,在部分机台由30纳米制程转换到20纳米制程的情况下,较2016年第4季减少14.4%,再加上新台币兑换美元汇率升值的因素影响营收负影响1.7%,使得南亚科2017年第1季税后净利归属于母公司业主为32.75亿元,净利率26.8%,较2016年第4季在扣除出售华亚科股票利益之税后的净利率17.4%,还增加9.4%,单季每股EPS为1.19元。

李培瑛进一步指出,南亚科于2016年12月投资美光私募股57,780,138股,每股价格为17.29美元,交易总金额约新台币314.6亿元。以2017年3月31日美光收盘价的28.9美元,累计未实现投资利益额约新台币192亿元。

至于,因为制成转换至20纳米的导致2017年第1季出货量下降的因素,李培瑛也表示,预期自第2季开始教慢慢消除,这将使得南亚科的位元销售量以低个位数字百分比逐季成长,带动2017全年位元销售量将可望较2016年仅微幅减少,使得2017年第1季将成为全年营收最低的一季。

此外,南亚科预估2017年的资本支出为343亿元,日前董事会通过20纳米第3期资本支出预算,金额以不超过198.4亿元为上限,调高20纳米总资本支出预算至557.4亿元。目前,南亚科的20纳米已于1月底正式试产,规划第3季初会有小量产出,表现优于预期,年底月投片量可达3万片,预期2018年上半年可达到3.8万片,加计30纳米3万片产能,合计为6.8万片。

而南亚科的20纳米设备摊提,2017年起将逐步增加。预计幅度将由2016年的14亿元提升至2017年不高于20亿元。不过,在产能转换至20纳米制程之后,其相等的投片量相较30纳米的产出将高达1.6倍的情况下,在当前DRAM持续维持高档,南亚科的获利将可预期。

至于,对未来市场的展望,李培瑛指出,DRAM价格在各家厂商的产能陆续开出之后,预计2017年第2季的价格涨幅将会缩小,比例约在10%以内。不过,2017年下半年因为DRAM需求稳定,在传统需求旺季的情况下,需求将会高于上半年。其中,在服务器、企业用笔电、桌上型电脑的需求都会高于预期。至于,在中高端智能手机上,在高解析度的需求,搭配双镜头功能的情况下,也将带动对于DRAM的需求。不过,就整体市场的情况来看,如果在NAND Flash有供过于求的情况下,将可能使得生产NAND Flash厂商调整资本支出到DRAM市场上,届时就可能影响市场的供需与价格。