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【存储器】2017年NOR Flash缺口高达20% 超过DRAM和NAND Flash

来源:联合新闻网    原作者:简永祥    

DRAM、储存型快闪存储器(NAND Flash)及编码型快闪存储器(NOR Flash)三大存储器中,本季DRAM、NAND Flash在下游系统厂考量降载下,面临小幅回档压力,但NOR Flash受美系大厂淡出,供给缺口扩大,本季仍维持大涨格局,牵动相关类股营运表现。

主要NOR Flash大厂旺宏和华邦电在法说会中,都同步释出NOR Flash本季将持续大涨,且涨幅都远高于第1季。

旺宏董事长吴敏求分析,NOR Flash产值由过去80亿美元降至20亿美元,出货仍持续增加,显见价格跌到极不合理,但在美国二大供应商淡季,需求端因有机发光二极管(OLED)、物联网及微控制器等新应用驱动下,需求比以前多出很好,价格上涨是必然的趋势。

法人预估,在美光及赛普拉斯二大厂淡出下,今年NOR Flash缺口高达20%,比DRAM和NAND Flash还严重,今年涨势相当明确,且集中在第2季和第3季备货旺季,其中第2季会高达到20%。