AI存储器商机可期 传三星拟大幅增产DRAM

专为高效能AI（人工智能）处理器与服务器打造的3D堆叠DRAM，传三星计划增产三十倍。

3D堆叠DRAM采用硅穿孔（Through Silicon Via）技术，可将DRAM芯片垂直堆叠，由于进出通道加宽，传输速度也大幅加快。

韩国媒体ETnews引述产业消息报导指出，三星最近向设备供应商订购新型20台热压接合封装机（TCB），这是硅穿孔技术的必要设备，且按理来说，新机具产出是原有机台的八倍。

新TCB机台今年底可就定位，预估届时三星硅穿孔制程产能将可增加三十倍之多。

英特尔与Nvidia现均朝AI积极发展，也都是三星潜在客户群。除此之外，日前有消息指出苹果正在开发AI专属芯片，将用以处理脸部与语音识别等工作，可应用于iPhone与iPad等装置，三星显然已嗅到这股AI存储器的新商机就在不远处。

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