追赶三星！美光力拼13纳米DRAM、SK海力士冲刺18纳米

三星电子制程领先，率先量产18纳米DRAM，把同业抛在脑后。竞争对手美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)不甘示弱，纷纷砸钱要追上三星。

外媒报道，三星是DRAM龙头，制程领先对手1~2年，2016年下半年首先量产18纳米DRAM，计划今年下半年推进至15纳米。研究机构估计，今年底为止，三星打算把18纳米DRAM的生产比重，提高至30%。业界人士说，三星会以利润优先，不会扩产抢市，打乱价格。

三星一马当先，DRAM第三大厂美光拼命追赶，计划未来两三年砸下20亿美元，研发13纳米DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备，并购买了多项高价生产仪器。进入13纳米制程之后，同一片晶圆能分割成更多芯片，生产力将提高20%。美光已于今年第一季量产18纳米DRAM。

与此同时，SK海力士也准备在今年下半年量产电脑用的18纳米DRAM，接着再投入移动设备用的18纳米DRAM。SK海力士会优先提高21纳米制程良率，之后转进20纳米、再转向18纳米。SK海力士人员透露，该公司正在研发1y DRAM制程，但是还不确定量产时间。

在此之前，三星电子的韩国华城厂(Hwaseong)，即将扩产的传闻延烧许久。最新消息显示，三星决定投资3万亿韩元(约26.4亿美元)提升DRAM产能。不过由于未来11线不再生产DRAM，产能一增一减之下，应该不至于冲击DRAM供给。

韩媒曾报导，业界消息指出，三星半导体业务部门将扩充华城厂17线的DRAM产能，生产10纳米等级的DRAM。三星已告知设备厂扩产计划，并在三月份向部分业者下单，估计投资金额约为2.5万亿~3万亿韩元，完工后每月增产3.5万片300公厘的硅晶圆，预定今年下半初步生产。

三星华城厂为综合晶圆厂，17线生产DRAM、11线生产图像传感器和DRAM、16-2线生产3D NAND Flash、S3线生产10纳米系统半导体。如今11线将转为全数生产图像传感器CMOS和CIS，不再生产DRAM。三星为了弥补产能损失，决定扩大17线的DRAM产能。相关人士表示，此一投资是为了弥补11线产能缩减和制程微缩损失，对DRAM供需几乎没有影响。

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