东芝硅晶圆协商慢半拍？传iPhone用3D NAND落后三星2个月

华尔街日报(WSJ)日文版16日报导，NAND型快闪存储器(Flash Memory)正迎来十年一度的需求热潮，也造成作为原料的硅晶圆供应不足、当前库存水准已滑落至历史新低，各家半导体厂商纷纷加快脚步确保供应来源，不过东芝(Toshiba)在确保明年(2018年)所需的硅晶圆供货协商上、落后给竞争同业，而此恐对其半导体事业带来冲击。

据熟知供应契约协商的业界关系人士指出，东芝竞争同业为进行增产、已同意调涨明年硅晶圆价格，而东芝则因数件“事情”导致协商落后，也就是说，全球第2大NAND Flash厂东芝在变化快速的市场上可能将处于不利情势。SMBC日兴证券分析师竹内忍表示，截至2018年年末为止，12寸硅晶圆价格很有可能会比2016年年末调涨40%以上水准。

据报导，在使用于苹果(Apple)iPhone的3D NAND Flash的研发上，和韩国三星电子相比、东芝还落后2个月时间。

东芝美国核电子公司Westinghouse(WH)于今年3月声请适用美国联邦破产法第11条之后，东芝为求生存，计划以高达2万亿日元以上的价格出售半导体事业子公司“东芝存储器(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)”，不过出售过程却颇为不顺，遭遇合作伙伴、共同营运NAND Flash主要据点“四日市工厂”的Western Digital(WD)的百般阻挠。

WD 15日宣布，已向美国加州地方法院提起诉讼，要求暂时禁止东芝出售半导体事业。WD要求，在仲裁法院结果出炉前，禁止东芝出售半导体事业。WD一直以来皆主张，在没有获得WD认可下，东芝不得将半导体事业出售给第三方，WD并于5月向国际仲裁法院诉请仲裁、要求东芝停止半导体事业出售手续。

另外，时事通信社16日报导，据多位关系人士透露，关于TMC的买家，东芝计划以产业革新机构(INCJ)等所筹组的“日美韩联盟”为主轴、加快挑选速度，计划在6月21日举行董事会决定买家、并在6月28日举行股东会之前签订契约。

“日美韩联盟”出价约2.1万亿日元，其中INCJ、日本政策投资银行、日本企业和日本金融机构等日本势力将出资过半比重，是唯一由日本势力掌控主导权的阵营，因此较易于获得希望将东芝半导体技术留在日本国内的日本政府的认同。

美国投资基金贝恩资本(Bain Capital)和韩国SK Hynix也将加入上述“日美韩联盟”，其中SK Hynix因是东芝同业，故为了回避独占禁止法问题，将以融资的形式参与，且东芝将明列限制SK Hynix参与经营等详细条件。

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