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【存储器】威刚:DRAM旺到明年 NAND Flash存变数

来源:中央社    原作者:张建中    

存储器模组厂威刚董事长陈立白预期,DRAM可望好到明年上半年,NAND Flash则有一变数,就是三星新增产能。

陈立白指出,在手机存储器容量增加、数据库和电竞需求大,及个人电脑市场优于预期带动下,第3季动态随机存取存储器(DRAM)市况看好,预期产品价格可望上涨超过1成水准。

不仅今年12月以前DRAM价格都不会跌,陈立白预期,由于DRAM市场没有新增产能,产业成寡占局面,可望好到明年上半年。

至于储存型快闪存储器(NAND Flash),陈立白表示,第3季市况依然正面,只是存有变数,就是三星新增产能,影响程度须视新增产能开出情况而定。

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