EN CN
注册

【存储器】3D NAND Flash结合TSV技术 东芝快闪存储器容量上看1TB

来源:电脑王       

东芝(TOSHIBA)旗下快闪存储器部门,最近常因分拆、出售消息上新闻版面,但是技术突破并未因此停歇。稍早前才发表包含96层堆叠的3D NAND Flash,以及首款基于3D NAND Flash制程生产的QLC类型颗粒等消息;而11日,东芝又再宣布3D NAND Flash结合TSV技术,单一颗粒容量将能达到1TB。

2015年夏天,东芝曾发表TSV(Through-Silicon Via,直通硅晶穿孔)技术导入应用消息,取代传统打线接合(Wire bonding)的裸晶堆叠封装技术,能够提高产品资料传输吞吐量,并且降低消耗功率。11日又再宣布,正火热的3D NAND Flash率先导入TSV技术应用,传输速率、容量、功耗表现又将创下新纪录。

 3D NAND结合TSV技术 东芝快闪存储器容量上看1TB

▲ 东芝将TSV技术导入至3D NAND Flash产品线应用

这款BiCS FLASH本质上是属于TLC架构类型,将以48层堆叠3D NAND Flash制程,结合TSV技术进行生产,其Toggle DDR介面具有1066Mbps传输速率。东芝所标示裸晶堆叠封装数量,虽然维持既有的8、16层,但是已经足以提供单颗容量达512GB、1TB产品,意味单一裸晶容量有512Gbit(64GB)这么大。

 3D NAND结合TSV技术 东芝快闪存储器容量上看1TB

▲TSV技术应用示意图

东芝今年2月曾发表512Gbit产品讯息,但那是基于64层堆叠的3D NAND Flash,现在导入TSV技术应用的3D NAND Flash只有48层,可见未来还有容量密度提升空间。东芝已在6月试产,正式样品将于下半年陆续出货,并预定8月在美国举行的Flash Memory Summit活动,展出与介绍这项技术产品。

如需获取更多资讯,请关注全球半导体观察官网(www.dramx.com)或搜索微信公众账号(全球半导体观察)。