来源:中时电子报 原作者:沈培华
存储器模组厂全部认为DRAM的缺货状况将持续,价格将维持在高档;今年DRAM与NAND Flash缺货几乎达一整年,加上NOR Flash亦因缺货带动价格高涨,使得制造厂南亚科、华邦电及旺宏本业营运第三季看涨。
存储器模组厂创见预期,未来DRAM与NAND Flash缺货状况仍将持续,价格将维持在高档。威刚也认为第三季在DRAM供给依然吃紧,再加上3D NAND Flash新制程良率有待提升,公司营运表现可望优于第二季。
宇瞻也持同样看法,预期DRAM全球供货吃紧将延续;主要是制程转进20纳米以下,设计、生产难度大幅提升,至于需求端产品分类趋复杂,生产规划难度增加。应用方面,上半年服务器标案需求强劲;第三季手机大厂推新机,平均存储器容量3~6GB,搭载量增加。今年DRAM位元需求成长率估22.5%,三大主要供应商因先进制程难度提高以及获利为导向,整体供给仍吃紧。
受到DRAM供货短缺仍未纾解,加上地缘政治紧张的预期心理,市场涨势可望延续至今年第四季。第三季随着DRAM价格上涨,南亚科本业营运可望更上一层楼。NOR Flash今年也加入缺货的行列,华邦电及旺宏将同步受惠,并支撑股价仍处于相对高档。
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